FETs de transistors du transistor MOSFET 49V 80A de N-canal de BTS282Z E3230 TO220-7

Number modèle:BTS282Z E3230
Point d'origine:La Malaisie
Quantité d'ordre minimum:10pieces
Conditions de paiement:T/T, Western Union
Capacité d'approvisionnement:500000PCS
Délai de livraison:2-15days
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Fournisseur Vérifié
Shenzhen Hongkong China
Adresse: Fl12, secteur Shenzhen Chine 518000 de LongHua du monde de la tour E XingHe
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FETs de transistors du transistor MOSFET 49V 80A de N-canal de BTS282Z E3230 TO220-7


Transistor MOSFET de la puissance BTS282ZE3230AKSA2 d'Infineon Technologies. Sa dissipation de puissance maximum est 300000 mW.

Afin d'assurer des pièces ne sont pas endommagés par l'emballage en vrac, ce produit vient dans l'emballage de tube pour ajouter un peu plus

protection en stockant les pièces lches dans un tube externe.

Ce transistor de transistor MOSFET a une gamme de température de fonctionnement du °C -40 175 °C.

Ce transistor de transistor MOSFET de canal de N fonctionne en mode d'amélioration.


Spécifications :

Catégorie
Produits semiconducteurs discrets
 
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Mfr
Infineon Technologies
Série
TEMPFET®
Paquet
Tube
Statut de partie
Obsolète
Type de FET
N-canal
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez la tension de source (Vdss)
49 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
80A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
6.5mOhm @ 36A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
2V @ 240µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
232 OR @ 10 V
Vgs (maximum)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
4800 PF @ 25 V
Caractéristique de FET
La température sentant la diode
Dissipation de puissance (maximum)
300W (comité technique)
Température de fonctionnement
-40°C | 175°C (TJ)
Montage du type
Par le trou
Paquet de dispositif de fournisseur
P-TO220-7-230
Paquet/cas
TO-220-7

Classifications environnementales et d'exportation
ATTRIBUTDESCRIPTION
Statut de RoHSROHS3 conforme
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL)1 (illimité)
Statut de PORTÉEATTEIGNEZ inchangé
ECCNEAR99
HTSUS

8541.29.0095


Numéro de la pièceBTS282Z E3230
Numéro de la pièce basBTS282Z
UE RoHSConforme avec l'exemption
ECCN (US)EAR99
Statut de partieActif
HTS8541.29.00.95


China FETs de transistors du transistor MOSFET 49V 80A de N-canal de BTS282Z E3230 TO220-7 supplier

FETs de transistors du transistor MOSFET 49V 80A de N-canal de BTS282Z E3230 TO220-7

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