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Microcontrôleurs de BRAS - ÉCLAIR 4 de MCU 120MHZ 256KB 8 QFN
ÉCLAIR 48QFN D'IC MCU 32BIT 256KB
Microcontrôleur IC 120MHz un noyau 32 bits 256KB (256K X 8) 48-QFN INSTANTANÉ (7x7) de série d'ARM® Cortex®-M4F
Spécifications d'ATSAMD51G18A-MU :
Catégorie | Circuits intégrés (IC) |
Incorporé - microcontrôleurs | |
Mfr | Technologie de puce |
Série | SAM D51 |
Paquet | Plateau |
Statut de produit | Actif |
Processeur de noyau | ARM® Cortex®-M4F |
Capacité de mémoire | un noyau 32 bits |
Vitesse | 120MHz |
Connectivité | EBI/EMI, ² C, IrDA, LINbus, MMC/SD, QSPI, SPI, UART/USART, USB d'I |
Périphériques | L'arrêt partiel détectent/remises, DMA, le ² S, POR, PWM d'I |
Nombre d'entrée-sortie | 37 |
Capacité de la mémoire de programme | 256KB (256K X 8) |
Type de mémoire de programme | ÉCLAIR |
Taille d'EEPROM | - |
RAM Size | 128K X 8 |
Tension - approvisionnement (Vcc/Vdd) | 1.71V | 3.63V |
Convertisseurs de données | A/D 20x12b ; D/A 2x12b |
Type d'oscillateur | Interne |
Température de fonctionnement | -40°C | 85°C (VENTRES) |
Montage du type | Bti extérieur |
Paquet/cas | 48-VFQFN a exposé la protection |
Paquet de dispositif de fournisseur | 48-QFN (7x7) |
Nombre bas de produit | ATSAMD51 |
Caractéristiques :
Conditions de fonctionnement :
• 1.71V 3.63V, -40°C +125°C, C.C 100 mégahertz
• 1.71V 3.63V, -40°C +105°C, C.C 120 mégahertz
• 1.71V 3.63V, -40°C +85°C, C.C 120 mégahertz
Noyau : Bras Cortex-M4 de 120 mégahertz
• 403 CoreMark® 120 mégahertz
• 4 KBs ont combiné la cachette d'instruction et la cachette de données
• unité de la protection de la mémoire 8-Zone (MPU)
• Jeu d'instructions Thumb®-2
• Trace Module incorporé (ETM) avec le courant de trace d'instruction
• Noyau Trace Buffer incorporé par vue (ETB)
• Trace Port Interface Unit (TPIU)
• Unité de virgule flottante (FPU)
Souvenirs
• 1 instantané auto-programmable de dans-système de MB/512 KB/256 KB avec :
– Code de correction d'erreurs (CCE)
– La double banque avec Lecture-Tandis que-écrivent l'appui (RWW)
– Émulation de matériel d'EEPROM (SmartEEPROM)
• 128 KBs, 192 KBs, 256 KBs SRAM de mémoire centrale
– 64 KBs, 96 KBs, 128 KBs d'option de correction d'erreurs de RAM du code (CCE)
• Jusqu' 4 KBs de la mémoire étroitement accouplée (TCM)
• Jusqu' 8 KBs SRAM supplémentaire
– Peut être maintenu dans le mode de secours
• Huit registres de secours 32 bits
Système
• Puissance-sur la détection de la remise (POR) et de l'arrêt partiel (DBO)
• Options internes et externes d'horloge
• Contrôleur d'interruption externe (EIC)
• 16 interruptions externes
• Une interruption non masquable
• le fil périodique de Deux-goupille corrigent (SWD) la programmation, l'essai, et interface de correction
Alimentation d'énergie
• Oisif, de réserve, hibernez, de secours, et outre des modes de sommeil
• Périphériques SleepWalking
• Appui de secours de batterie
• Régulateur incorporé de Buck/LDO soutenant la sélection en marche
Classifications environnementales et d'exportation
ATTRIBUT | DESCRIPTION |
---|---|
Statut de RoHS | ROHS3 conforme |
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) | 3 (168 heures) |
Statut de PORTÉE | ATTEIGNEZ inchangé |
ECCN | 3A991B1A |
HTSUS | 8542.32.0071 |