Circuits intégrés de l'INSTANTANÉ 48VQFN d'IC MCU 32BIT 256KB de puce d'ATSAMD51G18A-MU

Number modèle:ATSAMD51G18A-MU
Point d'origine:La Thaïlande
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Circuits intégrés de l'INSTANTANÉ 48VQFN d'IC MCU 32BIT 256KB de puce d'ATSAMD51G18A-MU

Microcontrôleurs de BRAS - ÉCLAIR 4 de MCU 120MHZ 256KB 8 QFN

ÉCLAIR 48QFN D'IC MCU 32BIT 256KB

Microcontrôleur IC 120MHz un noyau 32 bits 256KB (256K X 8) 48-QFN INSTANTANÉ (7x7) de série d'ARM® Cortex®-M4F


Spécifications d'ATSAMD51G18A-MU :

Catégorie
Circuits intégrés (IC)
 
Incorporé - microcontrôleurs
Mfr
Technologie de puce
Série
SAM D51
Paquet
Plateau
Statut de produit
Actif
Processeur de noyau
ARM® Cortex®-M4F
Capacité de mémoire
un noyau 32 bits
Vitesse
120MHz
Connectivité
EBI/EMI, ² C, IrDA, LINbus, MMC/SD, QSPI, SPI, UART/USART, USB d'I
Périphériques
L'arrêt partiel détectent/remises, DMA, le ² S, POR, PWM d'I
Nombre d'entrée-sortie
37
Capacité de la mémoire de programme
256KB (256K X 8)
Type de mémoire de programme
ÉCLAIR
Taille d'EEPROM
-
RAM Size
128K X 8
Tension - approvisionnement (Vcc/Vdd)
1.71V | 3.63V
Convertisseurs de données
A/D 20x12b ; D/A 2x12b
Type d'oscillateur
Interne
Température de fonctionnement
-40°C | 85°C (VENTRES)
Montage du type
Bti extérieur
Paquet/cas
48-VFQFN a exposé la protection
Paquet de dispositif de fournisseur
48-QFN (7x7)
Nombre bas de produit
ATSAMD51

Caractéristiques :

Conditions de fonctionnement :

• 1.71V 3.63V, -40°C +125°C, C.C 100 mégahertz

• 1.71V 3.63V, -40°C +105°C, C.C 120 mégahertz

• 1.71V 3.63V, -40°C +85°C, C.C 120 mégahertz


Noyau : Bras Cortex-M4 de 120 mégahertz

• 403 CoreMark® 120 mégahertz

• 4 KBs ont combiné la cachette d'instruction et la cachette de données

• unité de la protection de la mémoire 8-Zone (MPU)

• Jeu d'instructions Thumb®-2

• Trace Module incorporé (ETM) avec le courant de trace d'instruction

• Noyau Trace Buffer incorporé par vue (ETB)

• Trace Port Interface Unit (TPIU)

• Unité de virgule flottante (FPU)


Souvenirs

• 1 instantané auto-programmable de dans-système de MB/512 KB/256 KB avec :

– Code de correction d'erreurs (CCE)

– La double banque avec Lecture-Tandis que-écrivent l'appui (RWW)

– Émulation de matériel d'EEPROM (SmartEEPROM)

• 128 KBs, 192 KBs, 256 KBs SRAM de mémoire centrale

– 64 KBs, 96 KBs, 128 KBs d'option de correction d'erreurs de RAM du code (CCE)

• Jusqu' 4 KBs de la mémoire étroitement accouplée (TCM)

• Jusqu' 8 KBs SRAM supplémentaire

– Peut être maintenu dans le mode de secours

• Huit registres de secours 32 bits


Système

• Puissance-sur la détection de la remise (POR) et de l'arrêt partiel (DBO)

• Options internes et externes d'horloge

• Contrôleur d'interruption externe (EIC)

• 16 interruptions externes

• Une interruption non masquable

• le fil périodique de Deux-goupille corrigent (SWD) la programmation, l'essai, et interface de correction


Alimentation d'énergie

• Oisif, de réserve, hibernez, de secours, et outre des modes de sommeil

• Périphériques SleepWalking

• Appui de secours de batterie

• Régulateur incorporé de Buck/LDO soutenant la sélection en marche


Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUTDESCRIPTION
Statut de RoHSROHS3 conforme
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL)3 (168 heures)
Statut de PORTÉEATTEIGNEZ inchangé
ECCN3A991B1A
HTSUS8542.32.0071

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