Appareil en quartz Quartz fondu Support de plaquette de semi-conducteur Ultra mince

Numéro de modèle:Produit d'origine
Lieu d'origine:Shandong
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Beijing Beijing China
Adresse: Parc industriel de Jidong, Qianbaihujian, ville de Yangfang, district de Changping, Pékin, Chine
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Appareil en quartz Quartz de silice pour support de plaquettes de semi-conducteurs ultra-minces


Caractéristiques des produits :

Clair et propre,

Haute homogénéité

Résistant aux hautes températures

Haute transmission de la lumière

Anti-attaque chimique


Température de fonctionnement :

Température de fonctionnement régulière : 1000°C

Température de fonctionnement court terme : 1100°C

Température maximale de fonctionnement instantané : 1300°C


Propriété mécanique:

Propriété mécaniqueValeur de référencePropriété mécaniqueValeur de référence
Densité2.203g/cm3Indice de réfraction1.45845
Résistance la compression>1100MpaCoefficient de dilatation thermique5.5×10-7cm/cm.°C
Résistance la flexion67MpaTempérature de travail chaud1750~2050°C
Résistance la traction48.3MpaLa température pendant une courte durée1300°C
Coefficient de Poisson0.14~0.17La température pendant une longue durée1100°C
Module d'élasticité71700MpaRésistivité7×107Ω.cm
Module de cisaillement31000MpaRésistance diélectrique250~400Kv/cm
Dureté Mohs5.3~6.5(Échelle de Mohs)Constante diélectrique3.7~3.9
Point de déformation1280°CCoefficient d'absorption diélectrique<4×104
Chaleur spécifique (20~350°C)670J/kg °CCoefficient de perte diélectrique<1×104
Conductivité thermique (20°C)1.4W/m °C




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Appareil en quartz Quartz fondu Support de plaquette de semi-conducteur Ultra mince

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