Aucune transmittance de fissuration de Sapphire Wafer With Good Light de 6 pouces

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Détails du produit

substrat du saphir 6-inch avec la bonne transmittance légère

 

Description de produit

 

La composition chimique du cristal de saphir est alumine, avec le trellis hexagonal de structure cristalline. Le saphir est un matériel utilisé généralement de substrat pour la croissance épitaxiale de nitrure de gallium (GaN). Il a la dureté ultra-haute, les propriétés physiques et chimiques stables températures élevées, excellente représentation optique.

 

Spécification technique

 

PropriétésUnitésubstrat de 6 pouces
Diamètremillimètre150.1±0.1
Longueur platemillimètre47.5±1
MatérielGrande pureté et AL2O3 monocristallin
Crystal Orientation extérieurC-avion 0°±0.1°
Orientation plate primaireUn-avion 0°±0.5°
Bord cassé≤3mm
FenteAucune fissuration
DéfautAucun Wrappage, cristal jumeau ou Crystal Boundary
EPD² de <1000/cm

 

Recherche de représentation

 

Le GaN semi-polaire et non polaire peut être développé sur le substrat de saphir avec certains avions spéciaux comme le M-avion <1-100>et le R-avion <1-102>. Le GaN semi-polaire et non polaire ont la bonne interprétation pour améliorer l'effet d'abattement de dispositif, le phénomène de décalage de longueur d'onde et l'efficacité de bande de longue longueur d'onde du dispositif de LED. Les études ont prouvé qu'utilisant la couche hautes températures de nucléation d'AlN et la température plus élevée de croissance d'AlGaN, ou une couche de tampon avec l'AlGaN multicouche, ou employer le SI le dopage de la technique peut effectivement améliorer la qualité en cristal et la densité de dislocation des couches minces semi-polaires et non polaires d'AlGaN développées sur des substrats de saphir.

 

 

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Aucune transmittance de fissuration de Sapphire Wafer With Good Light de 6 pouces

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