Nitrure de gallium sur Sapphire Semiconductor GaN 100mm

Nitrure de gallium sur Sapphire Wafers (GaN)

Nous nous développons sommes des gaufrettes de saphir suivre plusieurs méthodes

• Le processus de Czrochroski (CZ) est connu pour être plus efficace pour la production de substrat de saphir de c-axe.
• Méthode d'échangeur de chaleur (BORD) - utilisé pour élever le cristal de saphir en volume.
• Kyropoulos (KY) - élève le saphir de haute qualité mais exige une énorme quantité de l'électricité.
• Bord défini, Film-alimenté (EFG) - technique de FG. Un procédé de cristallogénèse pour fabriquer plus de 10 cristaux en même temps jusqu' 1.5mm profondément par cristal utilisant la multi-astuce EFG

Le saphir développé suivre les méthodes de la CZ, du BORD ou des KY est employé pour augmenter et augmente la production, capacité. EFG sont habituellement employés pour la production de masse faible.

Sapphire Semiconductor Substrates sont disponible dans toutes les orientations

Les orientations incluent : R-axe ; Un-axe ; C-axe ; M-axe.

Les substrats de saphir sont disponibles dans diverses formes (circulaire, rectangle, ou place), de quelques millimètres jusqu' 200mm dans la taille, et finitions selon des spécifications de client. Des appartements primaires (selon des standards de l'industrie) sont donnés sur les substrats circulaires pour l'orientation ; les appartements secondaires sont disponibles sur demande. La gamme des épaisseurs de substrat de 0,013" (0.25mm) 0,025" (0.675mm), selon vos conditions d'application particulières.
Nous avons des gaufrettes en stock !

Spéc. que nous pouvons fournir :

50.8mm 430um SSP et DSP cm 0,2 degrés

50.8mm 100um SSP et C-avion de DSP M Plane 0,2 degrés

50.8mm - d'autres Spéc. et orienations disponibles

100mm 650um SSP

CATÉGORIE MECH de 100mm - PETIT PRIX !

D'autres diamètres de mais non limité 10mm x 10mm, 76.2mm, 150mm et 200mm.

Sapphire Wafers pour la croissance de MOCVD des Mince-films de nitrure de gallium (GaN)

Substrats de saphir de demandes de clients pour pour élever la croissance de MOCVD.

Voir svp ci-dessous pour l'offre, et voyez attaché pour les détails et les brochures de fabricant

1. Crystal Materials : 99,995 (ou équivalent), grande pureté, Al2O3 monocristallin.
2. orientation : Le M-avion (1-100) a modelé Sapphire Substrate (PSS)
3 : Diamètre : 50,8 millimètres de ± 0,1 millimètre (diamètre standard de 2 pouces).
4. épaisseur : 430 μm du ± 25 de μm (ou équivalent).
5. appartement primaire d'orientation (DE) : ± 0.2° du l'Un-avion (1 1 -2 0) (ou équivalent).
6. appartement secondaire d'orientation : NON
7. Front Surface : Epi-poli, Ra 0,3 nanomètres (par l'AFM) (ou meilleur).
8. arrière apprêtez : la Fin-terre, Ra =0.5 - 1,2 um (ou équivalent).
9. forme de PSS : Cône
10. dimension de PSS : La taille 1,5 um, le diamètre 1.2-1.8 um, lancent 1.2-1.8 um.
11. emballage : Pièce propre de la classe 100 et emballage sous vide.
12. Quantité de empaquetage : 25 morceaux par cassette.
13. Origine du produit : Taïwan. voyez attaché pour les détails et les brochures de fabricant.
14. Des gaufrettes de M-PSS doivent être employées pour la croissance de MOCVD des mince-films de nitrure de gallium (GaN).
15. Quantité. [Unité 50]

Pelase nous contactent pour l'évaluation.

Chongqing Silian Optoelectronics Science et Technology Co., Ltd ont été fondés par China Silian Instrument Group Co., Ltd pour le développement de l'industrie de LED. Après que l'acquisition des affaires de saphir de Honeywell, la société ait la première entreprise de la Chine devenue avec production de bonne qualité du saphir du monde la grande et des capacités de R&D. La société a la technologie de haute puissance principale mondiale de substrats du saphir. Saisissant l'excellente occasion, la société a développé des applications d'emballage de LED, d'éclairage de LED et d'autres industries en succession pour projeter l'extension dans la chaîne industrielle de LED. Basé sur la noyau-technologie des substrats de saphir, nous avons créé une région de la MU 1000 (approximativement 66,7 hectares) pour développer la porcelaine industrielle de LED des matières premières aux produits extrémité élevé et pour devenir le semi-conducteur le plus réalisé et le plus grand de rendement optimum dans la base dustrial en Chine occidentale.

Maintenant l'esprit d'entreprise de «  la portée de l'usager, la sélection naturelle, héritant de l'innovation et la poursuite de l'excellence » et le principe de client de « Silian est guidée par des clients et des supports avec des clients », nous sommes commis pour fournir des clients les substrats de haute qualité de puce de saphir, les matériaux optiques de fenêtre, des dispositifs de l'emballage de LED, et le rendement élevé LED allumant les produits extrémité élevé desplay et créant la valeur pour des clients.

Silian les grandes normes internationales de substrats de saphir lauching le membre.

Acquisition de la chaîne de production réalisée de la cristallogénèse de saphir au traitement de substrat.

Nous avons les avantages de qulity de la grande pureté, de la cohérence élevée et de la répétabilité élevée.

La coopération avec niveau supérieur LED du monde unité de fabrication de puces.