RoHS conjuguent des TRANSISTORS MOSFET du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N SOT-23-6L 6,0 un VDSS
Point d'origine:Shenzhen Chine
Quantité d'ordre minimum:PCS 1000-2000
Délai de livraison:1 - 2 semaines
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
Number modèle:8205A
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Shenzhen China
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9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
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8205A SOT-23-6L Plastique-encapsulent le double transistor MOSFET de N-canal de TRANSISTORS MOSFET
Description générale
VDSS= V ID= 6,0 A z 20 | G1 6 | D1, D2 5 | G2 4 | |||||
| z | Le RDS (dessus) <> 25m GS | |||||||
| z | Le RDS (dessus) <> 32m GS | 1 2 3 S1 D1, D2 S2 | ||||||
CARACTÉRISTIQUE
transistor MOSFET de puissance de z TrenchFET
z l'excellent RDS (dessus)
basse charge de porte de z
puissance élevée de z et capacité de remise actuelle
paquet extérieur de bti de z
APPLICATION
protection de batterie de z
commutateur de charge de z
gestion de puissance de z
| Condition d'essai de symbole de paramètre Min Typ Max Unit |
| CHARACTERICTISCS STATIQUE |
| tension claque de Drain-source V (BR) SAD VGS = 0V, identification =250µA 19 V |
| Drain zéro IDSS actuel VDS =18V, de tension de porte µA VGS = 0V 1 |
| fuite IGSS actuel VGS =±10V, Na de Porte-corps de VDS = de 0V ±100 |
| Tension de seuil de porte (note 3) VGS (Th) VDS =VGS, identification =250µA 0,5 0.9V |
| Tranconductance en avant (gFS VDS =5V, identification =4.5A 10 S de note 3) |
| Tension en avant de diode (note 3) VSD IS=1.25A, VGS = 0V 1,2 V |
| CHARACTERICTISCS DYNAMIQUE (note4) |
| Ciss de capacité d'entrée 800 PF |
| Capacité de sortie Coss VDS =8V, VGS =0V, f =1MHz 155 PF |
| Capacité inverse Crss 125 PF de transfert |
| COMMUTATION CHARACTERICTISCS (note 4) |
| Temps de retard d'ouverture TD (dessus) 18 NS |
| Temps de montée d'ouverture TR VDD=10V, VGS=4V, 5 NS |
| Temps de retard d'arrêt TD () ID=1A, RGEN=10Ω 43 NS |
| Temps de chute d'arrêt tf 20 NS |
| Charge totale Qg 11 OR de porte |
| Charge Qgs VDS =10V, VGS =4.5V, ID=4A 2,3 OR de Porte-source |
| Charge Qgd 2,5 OR de Porte-drain |
Notes :
1. Estimation répétitive : Largeur de Pluse limitée par la température de jonction maximum
2. Extérieur monté sur FR4 le panneau, sec t≤10.
3. Essai d'impulsion : Impulsion width≤300μs, devoir cycle≤2%.
4. Garanti par conception, pas sujet la production.
Dimensions d'ensemble de paquet de SOT-23-6L
RoHS conjuguent des TRANSISTORS MOSFET du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N SOT-23-6L 6,0 un VDSS
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