8H02ETS conjuguent charge de porte du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N basse 20V
Point d'origine:Shenzhen Chine
Quantité d'ordre minimum:PCS 1000-2000
Détails de empaquetage:Enfermé dans une boîte
Délai de livraison:1 - 2 semaines
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
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Shenzhen China
Adresse:
9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
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transistor MOSFET de mode d'amélioration de 20V N+N-Channel
DESCRIPTION
Le 8H02ETSuses a avancé la technologie de fossé
fournissez l'excellent RDS (DESSUS), la basse charge de porte et
opération avec des tensions de porte aussi basses que 2.5V.
CARACTÉRISTIQUES GÉNÉRALES
VDS = 20V, IDENTIFICATION = 7A
8H02TS LE RDS (DESSUS) < 28m="">
LE RDS (DESSUS) < 26m="">
LE RDS (DESSUS) < 22m="">
LE RDS (DESSUS) < 20m="">
Estimation d'ESD : 2000V HBM
Application
Protection de batterie
Gestion de puissance de commutateur de charge
Inscription et information de commande de paquet
| Identité de produit | Paquet | Inscription | Quantité (PCS) |
| 8H02ETS | TSSOP-8 | 8H02ETS WW YYYY | 5000/3000 |
CAPACITÉS ABSOLUES (TA=25℃ sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | Limite | Unité |
| Tension de Drain-source | VDS | 20 | V |
| Tension de Porte-source | VGS | ±12 | V |
| Vidangez Current-Continuous@ Actuel-pulsé (note 1) | Identification | 7 | V |
| Dissipation de puissance maximum | Palladium | 1,5 | W |
| Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | TJ, TSTG | -55 150 | ℃ |
| Résistance thermique, Jonction--ambiante (note 2) | RθJA | 83 | ℃/W |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (TA=25℃ sauf indication contraire)
NOTES : 1. estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la
température de jonction maximum. 2. extérieur monté sur FR4 le
panneau, sec du ≤ 10 de t. 3. essai d'impulsion : ≤ 300μs, ≤ 2% de
durée d'impulsion de coefficient d'utilisation. 4. garanti par
conception, pas sujet l'essai de production.
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET THERMIQUES TYPIQUES
8H02ETS conjuguent charge de porte du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N basse 20V
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