Transistor de la puissance élevée PNP de transistor de puissance de silicium de GV pour les composants électroniques
Point d'origine:Shenzhen Chine
Quantité d'ordre minimum:PCS 1000-2000
Détails de empaquetage:Enfermé dans une boîte
Délai de livraison:1 - 2 semaines
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
Contacter
Add to Cart
Fournisseur Vérifié
Shenzhen China
Adresse:
9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
dernière connexion fois fournisseur:
dans 22 heures
Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
TO-92 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors 2N5401 (PNP)
CARACTÉRISTIQUE
Commutation et amplification de Ÿ dans la haute tension
Applications de Ÿ telles que la téléphonie
Ÿ faible intensité
Haute tension de Ÿ
L'INFORMATION DE COMMANDE
| Numéro de la pièce | Paquet | Méthode de emballage | Quantité de paquet |
| 2N5401 | TO-92 | Le volume | 1000pcs/Bag |
| 2N5401-TA | TO-92 | Bande | 2000pcs/Box |
ESTIMATIONS MAXIMUM (merci =25 Š sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| VCBO | Tension de collecteur-base | -160 | V |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur | -150 | V |
| VEBO | Tension d'Émetteur-base | -5 | V |
| IC | Courant de collecteur | -0,6 | |
| PC | Dissipation de puissance de collecteur | 625 | mW |
| R0 JA | Résistance thermique de jonction ambiant | 200 | Š/W |
| Tj | La température de jonction | 150 | Š |
| Tstg | Température de stockage | -55~+150 | Š |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
Ventres =25 Š sauf indication contraire
| Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | IC = -0.1MA, IE =0 | -160 | V | ||
| Tension claque de collecteur-émetteur | PRÉSIDENT DE V (BR) | IC =-1MA, IB =0 | -150 | V | ||
| tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | IE =-0.01MA, IC =0 | -5 | V | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB =-120V, IE =0 | -50 | Na | ||
| Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB =-3V, IC =0 | -50 | Na | ||
Gain actuel de C.C | hFE (1) | VCE =-5V, IC =-1MA | 80 | |||
| hFE (2) | VCE =-5V, IC =-10MA | 100 | 300 | |||
| hFE (3) | VCE =-5V, IC =-50MA | 50 | ||||
| Tension de saturation de collecteur-émetteur | VCE (s'est reposé) | IC =-50MA, IB =-5MA | -0,5 | V | ||
| Tension de saturation d'émetteur de base | VBE (s'est reposé) | IC =-50MA, IB =-5MA | -1 | V | ||
| Fréquence de transition | pi | VCE =-5V, IC =-10mA, f =30MHz | 100 | 300 | Mégahertz |
CLASSIFICATION du hFE (2)
| RANG | B | C | |
| GAMME | 100-150 | 150-200 | 200-300 |
Caractéristiques typiques
Dimensions d'ensemble de paquet
| Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
| Minute | Maximum | Minute | Maximum | |
| 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 | |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TYPE | 0,050 TYPES | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
TO-92 7DSH DQG 5HHO
Transistor de la puissance élevée PNP de transistor de puissance de silicium de GV pour les composants électroniques
Inquiry Cart
0