Les transistors de puissance de l'astuce 3DD13005 commutent le rendement élevé de la tension de base d'émetteur 9V
Point d'origine:Shenzhen Chine
Quantité d'ordre minimum:PCS 1000-2000
Détails de empaquetage:Enfermé dans une boîte
Délai de livraison:1 - 2 semaines
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
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Shenzhen China
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9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
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TO-263-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors 3DD13005 (NPN)
CARACTÉRISTIQUE
Applications de changement de puissance
ESTIMATIONS MAXIMUM (merci =25 Š sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| VCBO | Tension de collecteur-base | 700 | V |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur | 400 | V |
| VEBO | Tension d'Émetteur-base | 9 | V |
| IC | Courant de collecteur - continu | 1,5 | |
| PC | Dissipation de collecteur | 1,25 | W |
| TJ, Tstg | Jonction et température de stockage | -55~+150 | ℃ |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
Ventres =25 Š sauf indication contraire
Ventres =25 Š sauf indication contraire
| Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | Ic= 1mA, IE=0 | 700 | V | ||
| Tension claque de collecteur-émetteur | PRÉSIDENT DE V (BR) | Ic= 10 mA, IB=0 | 400 | V | ||
| tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | IE = 1mA, IC =0 | 9 | V | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB = 700V, IE =0 | 1 | mA | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICEO | VCE = 400V, IB =0 | 0,5 | mA | ||
| Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB = 9 V, IC =0 | 1 | mA | ||
Gain actuel de C.C | hFE (1) | VCE = 5 V, IC = 0,5 A | 8 | 40 | ||
| hFE (2) | VCE = 5 V, IC = 1.5A | 5 | ||||
| Tension de saturation de collecteur-émetteur | VCE (s'est reposé) | IC=1A, IB= 250 mA | 0,6 | V | ||
| Tension de saturation d'émetteur de base | VBE (s'est reposé) | IC=1A, IB= 250mA | 1,2 | V | ||
| Tension d'émetteur de base | VBE | IE= 2A | 3 | V | ||
Fréquence de transition |
pi | VCE =10V, Ic=100mA f =1MHz |
5 |
Mégahertz | ||
| Temps de chute | tf | IC =1A, IB1 =-IB2=0.2A VCC=100V | 0,5 | µs | ||
| Temps d'entreposage | solides totaux | IC=250mA | 2 | 4 | µs |
CLASSIFICATION de hFE1
| Rang | |||||||
| Gamme | 8-10 | 10-15 | 15-20 | 20-25 | 25-30 | 30-35 | 35-40 |
CLASSIFICATION des solides totaux
| Rang | A1 | A2 | B1 | B2 |
| Gamme | 2-2.5 (μs) | 2.5-3 (μs) | 3-3.5 (μs) | 3.5-4 (μs) |
Dimensions d'ensemble du paquet TO-92
| Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
| Mn. | Maximum. | Mn. | Maximum. | |
| 4,470 | 4,670 | 0,176 | 0,184 | |
| A1 | 0,000 | 0,150 | 0,000 | 0,006 |
| B | 1,120 | 1,420 | 0,044 | 0,056 |
| b | 0,710 | 0,910 | 0,028 | 0,036 |
| b1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
| c | 0,310 | 0,530 | 0,012 | 0,021 |
| c1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
| D | 10,010 | 10,310 | 0,394 | 0,406 |
| E | 8,500 | 8,900 | 0,335 | 0,350 |
| e | 2,540 TYPE. | 0,100 TYPES. | ||
| e1 | 4,980 | 5,180 | 0,196 | 0,204 |
| L | 14,940 | 15,500 | 0,588 | 0,610 |
| L1 | 4,950 | 5,450 | 0,195 | 0,215 |
| L2 | 2,340 | 2,740 | 0,092 | 0,108 |
| Φ | 0° | 8° | 0° | 8° |
| V | 5,600 Réf. | 0,220 Réf. | ||
Les transistors de puissance de l'astuce 3DD13005 commutent le rendement élevé de la tension de base d'émetteur 9V
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