Transistors noirs de transistor MOSFET des transistors rf de l'effet de gisement de semiconducteur métal oxyde de PD57018-E rf (transistor MOSFET de rf)
Number modèle:PD57018-E
Quantité d'ordre minimum:1000
Conditions de paiement:T/T
Capacité d'approvisionnement:5k-10k par jour
Délai de livraison:5-8 jours de travail
Détails de empaquetage:Paquet : QFN
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Fournisseur Vérifié
Shenzhen China
Adresse:
9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
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Détails du produit
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Détails du produit
| Nom de produit : PD57018-E | |
| Fabricant : STMicroelectronics | Catégorie de produit : Transistors de l'effet de gisement de semiconducteur métal oxyde de rf (transistor MOSFET de rf) |
| Polarité de transistor : N-canal | Technologie : SI |
| Courant Identification-continu de drain : 2,5 A | tension claque de Vds-drain-source : 65 V |
| Source de Sur-drain du RDS sur la résistance : 760 mOhms | Fréquence d'opération : 1 gigahertz |
| Gain : DB 16,5 | De puissance de sortie : 18 W |
| Température de fonctionnement minimum : - 65 C | Température de fonctionnement maximum : + 150 C |
| Style d'installation : SMD/SMT | Paquet/cas : PowerSO-10RF-Formed-4 |
| Paquet : Tube | Marque : STMicroelectronics |
| Mode de la Manche : Amélioration | Configuration : Simple |
| Transconductance en avant - minute : 1 S | Taille : 3,5 millimètres |
| Longueur : 7,5 millimètres | Sensibilité d'humidité : Oui |
| Dissipation puissance du palladium : 31,7 W | Type de produit : Transistors de transistor MOSFET de rf |
| Série : PD57018-E | Quantité de emballage d'usine : 400 |
| Sous-catégorie : Transistors MOSFET | Type : Transistor MOSFET de puissance de rf |
| Vgs - tension de Porte-source : 20 V | Largeur : 9,4 millimètres |
| Poids spécifique : 3 g |
Transistors noirs de transistor MOSFET des transistors rf de l'effet de gisement de semiconducteur métal oxyde de PD57018-E rf (transistor MOSFET de rf)
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