Composant électronique instantané de l'ARM Cortex RISC de MCU ATTINY13A-SU ATTINY13

Caractéristiques

• Haute performance, microcontrôleur 8 bits de la puissance faible AVR®

• Architecture avancée de RISC – 120 instructions puissantes – la plupart d'exécution simple de rhythme – 32 x 8 registres fonctionnants d'usage universel – opération entièrement statique – jusqu' 20 MIPS de Througput 20 mégahertz

• Les segments élevés de mémoire non-volatile de résistance – les octets 1K de mémoire instantanée Auto-programmable de programme de Dans-système – 64 octets EEPROM – 64 octets SRAM interne – écrivent/cycles d'effacement : 10 000 Flash/100,000 EEPROM – conservation de données : 20 ans aux années 85°C/100 25°C (voir la page 6) – serrure de programmation pour la protection des données de Auto-programmation d'instantané et d'EEPROM

• Caractéristiques périphériques – un minuterie/compteur 8 bits avec Prescaler et deux canaux de PWM – 4 canal, 10 bit CDA avec la référence interne de tension – horloge de surveillance programmable avec l'oscillateur distinct de Sur-puce – comparateur analogue de Sur-puce

• Le microcontrôleur spécial comporte – la Sur-puce de debugWIRE corrigent le système – le Dans-système programmable par l'intermédiaire du port de SPI – externe et des sources d'interruption interne – ralenti de puissance faible, réduction du bruit de CDA, et modes de puissance-vers le bas – augmentés Puissance-sur le circuit remis zéro – circuit de détection programmable d'arrêt partiel avec la fonction de débronchement de logiciel – oscillateur calibré interne

• Entrée-sortie et paquets – 8 goupille PDIP/SOIC : Six lignes programmables d'entrée-sortie – 10 protection MLF : Six lignes programmables d'entrée-sortie – 20 protection MLF : Six lignes programmables d'entrée-sortie • Tension d'opération : – 1,8 – 5.5V

• Catégorie de vitesse : – 0 – 4 mégahertz @ 1,8 – 5.5V – 0 – 10 mégahertz @ 2,7 – 5.5V – 0 – 20 mégahertz @ 4,5 – 5.5V

• Température ambiante industrielle

• Consommation de puissance faible

Mode actif :  µA 190 1,8 V et 1 mégahertz –

Mode inactivité :  24 µA 1,8 V et 1 mégahertz