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Temps de changement rapide Mos Field Effect Transistor, transistor de commutateur électrique
Mos Field Effect Transistor Description
Mos Field Effect Transistor sont employés dans les beaucoup alimentation d'énergie et applications de puissance générale, particulièrement comme commutateurs. S variable incluent les transistors MOSFET planaires, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs et d'autres différentes marques.
Mos Field Effect Transistor Feature
N- La Manche P - la Manche
Vds = 30V Vds = -30V
9,5 A (Vgs= 10V) - 8 A (Vgs= -10V)
mΩ 12,9 de mΩ (Vgs= 10V) 21,6 (Vgs= -10V)
mΩ 19,3 de mΩ (Vgs= 4.5V) 40,0 (Vgs= -4.5V)
l'avalanche 100% de a examiné
fiable et rocailleux
halogène de libre et dispositifs verts disponibles
(RoHS conforme)
Mos Field Effect Transistor Applications
Redresseurs synchrones
Puissance sans fil
commande de moteur de H-pont
L'information de commande et de repérage
S
G170C03
XYMXXXXXX
Code de paquet
S : SOP8L
Code de date
XYMXXXXXX
Note : Les produits sans plomb de HUAYI contiennent les composés de
moulage/pour mourir les matériaux d'attache et le fer-blanc mat de
100% Termi-
Finition de nation ; ce qui sont entièrement conformes avec RoHS.
Les produits sans plomb de HUAYI rencontrer ou dépasser le sans
plomb exigent
ments d'IPC/JEDEC J-STD-020 pour la classification de MSL la
température maximale sans plomb de ré-écoulement. HUAYI définit
« Vert » pour signifier sans plomb (RoHS conforme) et
l'halogène librement (le Br ou le Cl ne dépasse pas 900ppm en poids
dedans
le matériel et le total homogènes de Br et de Cl ne dépasse pas
1500ppm en poids).
HUAYI se réserve le droit d'apporter des changements, des
corrections, des améliorations, des modifications, et des
améliorations ces RP
oduct et/ou ce document tout moment sans préavis.
Capacités absolues
Caractéristiques du fonctionnement N-transistor MOSFET typiques