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Diode de redresseur rapide de silicium de récupération BA159 1.0A 1000V pour le conducteur de LED

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Ville:ningbo
Province / État:zhejiang
Pays / Région:china
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Diode de redresseur rapide de silicium de récupération BA159 1.0A 1000V pour le conducteur de LED

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Numéro de type :BA159
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :100000pcs
Capacité d'approvisionnement :1000000pcs
Détails d'emballage :50000PCS/CARTON, 8.5KG, 43*27*31cm
Délai de livraison :8-10 jours de travail
Conditions de paiement :L / C, T / T
L'autre nom :diode rapide superbe de récupération
Polarité :Bande de cathode
Position de montage :tout
Poids :0.3grams (approximatif)
courant en avant moyen :1A
Courant de pointe non répétitif :30 A
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BA159 jeûnent la diode de redresseur de silicium de récupération 1.0A 1000V pour le conducteur de LED

 

Description :

 

La diode de redresseur ultra-rapide de récupération est un dispositif de semi-conducteur qui possède le temps de rétablissement inverse court pour le but de rectification à la haute fréquence. Un temps de guérison rapide est crucial pour la rectification du signal à haute fréquence à C.A. Des diodes sont en grande partie utilisées dans des redresseurs parce qu'elles possèdent la vitesse de commutation ultra-haute.

 

La diode rapide de récupération est construite de la façon semblable par laquelle la diode ordinaire est construite. La différence majeure dans la construction entre ces diodes et diodes conventionnelles est la présence des centres de recombinaison. Dans des diodes rapides de récupération, de l'or (Au) est ajouté au matériel de semi-conducteur. Ceci mène à l'augmentation en valeur numérique des centres de recombinaison dus à ce que la vie (?) des porteurs de charge diminue.

 

Caractéristiques :

 

• Jonction diffuse
Commutation rapide pour le rendement élevé
Capacité à forte intensité et basse chute de tension en avant
Température de surcharge de montée subite à la crête 30A

• Bas courant inverse de fuite
La matière plastique a la classification 94V-0 d'inflammabilité d'UL

 

Avantages de diode rapide de récupération :

• Vitesse de commutation ultra-haute
• Bas temps de rétablissement inverse
• Efficacité améliorée par rapport aux diodes conventionnelles.
• Perte réduite

 

Estimations maximum et caractéristiques thermiques :

Évaluant à la température ambiante de 25sauf indication contraire, résistive ou inductive charge, 60 hertz.

Pour la charge capacitive sous-sollicitez le courant de 20%.

Paramètre Symbole BA159 Unité
Tension inverse maximale de Max.repetitive VRRM 1000 V
Tension d'entrée maximale de pont de RMS VRMS 700 V
Tension de blocage de C.C de maximum Volts continu 1000 V
Courant de sortie rectifié en avant moyen maximal à TA=75℃ SI (POIDS DU COMMERCE) 1,0 A
Sinus-vague simple maximale de courant de montée subite en avant superposée à la charge évaluée IFSM 30 A
Temps de rétablissement inverse maximum TJ=25℃ Trr 500 NS
Résistance thermique typique par élément ReJA 50 ℃/W
Capacité de jonction typique par élément Cj 15 PF
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage

Tj

TSTG

-65 à +150

 

Caractéristiques électriques :

Évaluation à la température ambiante de 25 sauf indication contraire. Charge résistive ou inductive, 60Hz.

Pour la charge capacitive sous-sollicitez d'ici 20 %.

Paramètre Symbole BA159 Unité
Chute de tension en avant instantanée maximale par jambe à 1.0A VF 1,3 V

Courant inverse de C.C de maximum à TA=25℃ évalué

Tension de blocage de C.C par élément TA=25℃

IR

5,0

50,0

mA

 

Dimension :

Diode de redresseur rapide de silicium de récupération BA159 1.0A 1000V pour le conducteur de LED

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