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Photorésistance sensible à la lumière passive de la résistance Φ10mm de composants électroniques d'ANYO

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Ville:ningbo
Province / État:zhejiang
Pays / Région:china
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Photorésistance sensible à la lumière passive de la résistance Φ10mm de composants électroniques d'ANYO

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Numéro de type :GL105
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :10000PCS
Conditions de paiement :L / C, T / T
Capacité d'approvisionnement :50000pcs par jour
Délai de livraison :8-10 jours de travail
Détails d'emballage :Carton adapté aux besoins du client
L'autre nom :Résistance de LDR photorésistance/560nm
Max. Tension :200VDC
Puissance maximale :200MW
Valeur de crête de spectre :560nm
Temps de réponse :diminution 30
Diamètre :10mm
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Photorésistance sensible à la lumière de la résistance Φ10mm, résistance de LDR 560nm

 

Description :

 

Une photorésistance (ou la résistance dépendant de la lumière, le LDR, ou la cellule photoconductrice) est une résistance variable contrôlée par la lumière. La résistance d'une photorésistance diminue avec l'augmentation de l'intensité de la lumière d'incident ; en d'autres termes, elle montre la photoconductivité. Une photorésistance peut être appliquée dans les circuits de détecteur sensibles à la lumière, et des circuits de changement lumière-activés et foncé-activés.

Une photorésistance est faite d'un semi-conducteur de haute résistance. Dans l'obscurité, une photorésistance peut avoir une résistance aussi haute que plusieurs mégohms (MΩ), alors que dans la lumière, une photorésistance peuvent avoir une résistance aussi basse que quelques cent ohms.

 

Caractéristiques :

 

Paramètre/type GL10516 GL10526 GL10537-1 GL10537-2 GL10539
Tension maximale (volts continu) 200
Puissance maximale (mW) 200
Valeur de crête de spectre (nanomètre) 560
Résistance légère 5~10 10~20 20~30 30~50 50~100
Résistance foncée 1 2 3 5 8
Y100 10 0,6 0,6 0,7 0,8 0,8
Temps de réponse (augmentation) 30
Temps de réponse (diminution) 30

 

Principe de fonctionnement :

quand la lumière tombe sur le LDR c.-à-d. quand les photons tombent sur le LDR, les électrons de bande de valence obtiennent l'énergie suffisante pour devenir enthousiastes à la bande de conduction. Les photons d'incident doivent avoir l'énergie plus grande que le domaine d'énergie interdit du semi-conducteur. Quand la lumière ayant assez d'énergie tombe sur le dispositif, plus d'électrons deviendront enthousiastes à la bande de conduction. À mesure que le nombre d'électrons libres augmente, plus actuel traverse le circuit. Par conséquent on lui dit que, car la lumière tombe sur le LDR, la résistance diminue.

 

Application :

 

Les photorésistances viennent dans beaucoup de types. Des cellules peu coûteuses de sulfure de cadmium peuvent être trouvées dans beaucoup d'articles du consommateur tels que les mètres légers de caméra, les radios-réveils, les dispositifs d'alarme (comme détecteur pour un faisceau lumineux), les veilleuses, les horloges extérieures, les réverbères solaires et les goujons solaires de route, etc.

Des photorésistances peuvent être placées dans des réverbères pour commander quand la lumière est allumée. La chute légère ambiante sur la photorésistance fait éteindre le réverbère. Ainsi de l'énergie est économisée en assurant la lumière a lieu seulement dessus pendant des heures d'obscurité.

Elles sont également employées dans quelques compresseurs dynamiques ainsi qu'une petite lampe au néon incandescente ou, ou diode électroluminescente pour commander la réduction de gain. Une utilisation commune de cette application peut être trouvée dans beaucoup des amplificateurs de guitare qui incorporent un effet à bord de trémolo, car les modèles légers de oscillation commandent le niveau du signal fonctionnant par le circuit d'ampère.

 

Condition d'essai :

 

Résistance légère : Irradié par la lumière 400-600Lux pendant deux heures, examinez alors avec 10Lux sous la source lumineuse standard A (comme température de couleur 2856K)
Résistance foncée : Référez-vous à la résistance 10 secondes après que la lumière 10Lux est fermée.

valeur de γ : Logarithme du rapport de la valeur de résistance standard au-dessous de 10 lux et de celle sous 100Lux.
R10, R100 sont les résistances sous 10Lux et 100Lux respectiverly.
Puissance maximale : Puissance maximum à la température environnementale 25℃.
Tension externe de maximum : Tension maximum à donner sans interruption au composant dans l'obscurité.

 

Dimension : (millimètre)

 

Photorésistance sensible à la lumière passive de la résistance Φ10mm de composants électroniques d'ANYO

Température-propriété :

Photorésistance sensible à la lumière passive de la résistance Φ10mm de composants électroniques d'ANYO

Caractéristique de réponse de spectre :

Photorésistance sensible à la lumière passive de la résistance Φ10mm de composants électroniques d'ANYO

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