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Capteur dépendant de la lumière de lumière de photorésistance de la résistance de LDR de Φ5mm/CDS pour le contrôle léger

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Ville:ningbo
Province / État:zhejiang
Pays / Région:china
Contact:MrRoy Zhang
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Capteur dépendant de la lumière de lumière de photorésistance de la résistance de LDR de Φ5mm/CDS pour le contrôle léger

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Numéro de type :GL55
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :10000PCS
Conditions de paiement :L / C, T / T
Capacité d'approvisionnement :50000pcs par jour
Délai de livraison :8-10 jours de travail
Détails d'emballage :Carton adapté aux besoins du client
L'autre nom :résistance de photorésistance
Max. Tension :150Vdc
Puissance maximale :100mW
Valeur de crête de spectre :540nm
Temps de réponse :diminution 30
Diamètre :5MM
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Capteur de LDR de Φ5mm/photorésistance de Cd, résistance dépendant de la lumière pour le contrôle léger

 

Description :

LDR (résistance dépendant de la lumière) est une résistance dont la résistance varie inversement avec la quantité de lumière tombant là-dessus. On le connaît également pendant que des dimensions de résistance, de cellule photo-électrique, de photo le LDR que conducteur des cellules etc. sont disponible dans 5mm, de 8mm, de 12mm et de 25mm de photo.

Le LDR est fait de matériel de haute résistance de semi-conducteur. La matière de semi-conducteur employée pour les résistances de photo est sulfure de cadmium, Cd. Quand elle est foncée, le LDR a de haute résistance connu sous le nom de résistance foncée. La résistance habituellement foncée sera de l'ordre des ohms méga. Quand la lumière tombe sur le LDR, la résistance réduisent aux ohms de kilo s'étendent.

 

Caractéristique :

Bonne caractéristique de spectre
Réponse rapide
Paquet époxyde ou hermétique
Représentation fiable

• Diamètre : 5mm
• Non des goupilles : 2
• Type de support : Carte PCB par le trou
• Température de fonctionnement maximum : +800℃ (approximativement)

 

Caractéristiques :

Paramètre/type GL5516 GL5528 GL5537-1 GL5537-2 GL5539 GL5549 GL5606 GL5616 GL5626 GL5637-1 GL5637-2 GL5639 GL5649
Max.voltage (volts continu) 150
Puissance maximale (mW) 100
Valeur de crête de spectre (nanomètre) 540 560
Résistance légère 5~10 10~20 20~30 30~50 50~100 100~200 4~7 5~10 10~20 20~30 30~50 50~100 100~200
Résistance foncée 0,6 1 2 3 5 10 0,5 0,8 2 3 4 8 15
Y100 10 0,5 0,6 0,6 0,7 0,8 0,9 0,5 0,6 0,6 0,7 0,8 0,9 0,95
Temps de réponse (augmentation) 30 20 30 20
Temps de réponse (diminution) 30

 

Principe de fonctionnement :

quand la lumière tombe sur le LDR c.-à-d. quand les photons tombent sur le LDR, les électrons de bande de valence obtiennent l'énergie suffisante pour devenir enthousiastes à la bande de conduction. Les photons d'incident doivent avoir l'énergie plus grande que le domaine d'énergie interdit du semi-conducteur. Quand la lumière ayant assez d'énergie tombe sur le dispositif, plus d'électrons deviendront enthousiastes à la bande de conduction. À mesure que le nombre d'électrons libres augmente, plus actuel traverse le circuit. Par conséquent on lui dit que, car la lumière tombe sur le LDR, la résistance diminue.

 

Application :

• Alarmes
• Détecteurs légers
• Capteur léger
• Capteur de couleur
• Ligne capteur
• Capteur d'objet
• Commutateur de photo
• Contrôles d'éclairage pour des réverbères
• Mètres d'intensité de la lumière

 

Dimension : (millimètre)

Capteur dépendant de la lumière de lumière de photorésistance de la résistance de LDR de Φ5mm/CDS pour le contrôle léger

Température-propriété :

Capteur dépendant de la lumière de lumière de photorésistance de la résistance de LDR de Φ5mm/CDS pour le contrôle léger

Caractéristique de réponse de spectre :

Capteur dépendant de la lumière de lumière de photorésistance de la résistance de LDR de Φ5mm/CDS pour le contrôle léger

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