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Nanjing Crylink Photonics Co.,Ltd

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Efficacité élevée de pente de GaN ZnO Heteroepitaxy de cristaux du substrat ScAlMgO4
Efficacité élevée de pente de GaN ZnO Heteroepitaxy de cristaux du substrat ScAlMgO4
  • Efficacité élevée de pente de GaN ZnO Heteroepitaxy de cristaux du substrat ScAlMgO4
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Description Le cristal ScAlMgO4 (MgScAlO4SCAM) est un genre de développé récemment heteroepitaxy de GaN et de ZnO avec le matériel idéal de substrat, ...
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