Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.
La société Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd. a été créée en 2013 et a été fondée en 2014. Nous cultivons des cristaux, nous fabriquons des gaufres, nous sommes spécialistes en piézo
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Permettre la modulation ultra-rapide et la grande largeur de bande avec LNOI POI
Piézo-électrique sur l'isolation (POI) se rapporte à une technologie où des matériaux piézoélectriques sont intégrés sur un substrat isolant. Ceci tient compte de l'utilisation de l'effet piézoélectrique tout en fournissant l'isolement électrique. La technologie de POI permet le développement de divers dispositifs et les systèmes qui arment les propriétés uniques des matériaux piézoélectriques pour la détection, la mise en action, et l'énergie moissonnant des applications.
La technologie de POI (piézo-électrique sur l'isolation) trouve de diverses applications dans différents champs dus à sa capacité de combiner les avantages des matériaux piézoélectriques avec l'isolement électrique. Comme des capteurs, des systèmes et stockage et génération de l'énergie Microelectromechanical.
La polyvalence d'intégrer les matériaux piézoélectriques sur un substrat isolant pour ouvrir des possibilités pour les solutions innovatrices dans les domaines divers, y compris l'électronique, énergie, soins de santé, et plus.
| Gaufrette de LNOI | |||
| Structure | LN/SiO2/SI | LTV/PLTV | < 1="">) du millimètre2du ∗ 5/95% |
| Diamètre | ± Φ100 0,2 millimètres | Bord Exclution | 5 millimètres |
| Épaisseur | 500 μm du ± 20 | Arc | À moins du μm 50 |
| Longueur plate primaire | ± 47,5 2 millimètres ± 57,5 2 millimètres |
Règlage de bord | ± 2 0,5 millimètres |
| Tailler de gaufrette | R de type | Ambiant | Rohs 2,0 |
| Couche supérieure de LN | |||
| Épaisseur moyenne | 400/600±10 nanomètre | Uniformité | < 40nm=""> |
| Index de réfraction | aucun > 2,2800, Ne < 2=""> | Orientation | ± 0.3° d'axe des abscisses |
| Catégorie | Optique | Ra extérieur | < 0=""> |
| Défauts | >1mm aucun ; ≦1millimètreà moinsde300totaux |
Décollement | Aucun |
| Éraflure | >1cm aucun ; ≦1cmà moinsde3 |
Appartement primaire | Perpendiculaire à + ± 1° d'axe des ordonnées |
| Isolement SiO2 couches | |||
| Épaisseur moyenne | 2000nm ± 100nm du ± 50nm 4700nm du ± 15nm 3000nm | Uniformité | <> |
| Ouvrier. Méthode | Oxyde thermique | Index de réfraction | 1.45-1.47 @ 633 nanomètre |
| Substrat | |||
| Matériel | SI | Orientation | <100> ± 1° |
| Orientation plate primaire | <110> ± 1° | Résistivité | > kΩ 10·cm |
| Contamination de postérieur | Aucune tache évidente | Postérieur | Gravure à l'eau forte |
