la cellule de Pockels basée sur BBO sont employées pour changer l'état de polarisation de lumière passant par elle quand une tension est appliquée aux électrodes des cristaux électrooptiques de BBO. Les applications typiques incluent la Q-commutation de la cavité de laser, de la lumière de dumping et de accouplement de cavité de laser dans et de la forme
amplificateurs de régénérations. La basse sonnerie piézoélectrique rend la cellule de Pockels de BBO attrayante pour le contrôle des lasers de haute puissance et hauts de taux de répétition. Les conducteurs électroniques de commutation rapide correctement assortis à la cellule sont disponibles pour la Q-commutation, le dumping de cavité et d'autres applications. Les cellules de Pockels de BBO sont les dispositifs transversaux de champ. La tension de quart-vague est proportionnelle au rapport de l'espacement d'électrode et la longueur de cristal, pour cette fin, une plus petite ouverture, tension inférieure de quart-vague, en outre, la double conception en cristal, qui a la tension inférieure de quart-vague, est très utilisée pour fonctionner en mode à demi onde avec des temps rapides de commutation.
AVANTAGES :
- Sonnerie piézoélectrique minimale
- Basse absorption
- La large transmission s'étend de 200nm à 2000nm
- Dimension compacte
CARACTÉRISTIQUES :
| Ouverture : |
1.8mm |
2.8mm |
3.6mm |
| Quart-vague Vlotage |
2400V |
1900V |
3600V |
2900V |
4800V |
3900V |
| Capacité |
4pF |
5 PF |
4 PF |
5 PF |
4 PF |
5 PF |
| Rapport d'extinction : |
1000:1 |
| Déformation de front d'onde : |
<λ/8 @633nm |
| Seuil de dommages optique : |
600 MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz |
| Gamme de longueurs d'onde : |
190-3500nm |
| Perte d'Insersion |
<2>
|
