BC807-T CMBTA56-T CMBT4403-T CMBTA06 CMBT3906-T CMBT3906 CMBTA56 CMBTA42-T CMBT4401-T
CMBTA42 CMBT3904 CMBT4403 CMBTA92 CMBT5551 CMBT5401 CMBT5551-T CMBT3904-T CMBTA92-T
CMBTA06-T CMBT5401-T CMBT4401 CMBT9014 MMBT5551

Caractéristiques électriques

Mfr. #	MMBT5551
Montage du style	SMD/SMT
Polarité de transistor	NPN
Configuration	Simple
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum	160 V
Tension de collecteur-base VCBO	180 V
Tension basse VEBO d'émetteur	6 V
Tension de saturation de collecteur-émetteur	0,2 V
Courant de collecteur maximum de C.C	0,6 A
Palladium - dissipation de puissance	325 mW
Produit pi de largeur de bande de gain	300 mégahertz
Température de fonctionnement minimum	- 55 C
Température de fonctionnement maximum	+ 150 C
Collecteur de C.C/minute de référence de hfe de gain	80 à 10 mA, 5 V
HFE de gain actuel de C.C maximum	250 à 10 mA, 5 V
Type de produit	BJTs - transistors bipolaires

Caractéristiques électriques (aux ventres =°C 25 sauf indication contraire)

Inquiry Cart 0

Transistor à haute tension MMBT5551 d'amplificateur d'usage universel du silicium NPN

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Transistor à haute tension MMBT5551 d'amplificateur d'usage universel du silicium NPN