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La famille de fusibles électroniques MX25947 est constituée de solutions hautement intégrées de protection des circuits et de gestion de l'alimentation dans de petits boîtiers. L'appareil utilise très peu de composants externes et offre plusieurs modes de protection. Ils sont efficaces contre les surcharges, les courts-circuits, les surtensions, les courants d'appel excessifs et les courants inverses. Le niveau limite de courant peut être programmé avec une résistance externe. Un circuit interne désactivera le FET interne pour protéger les surtensions. Les applications ayant des exigences particulières en matière de rampe de tension peuvent utiliser un seul condensateur pour programmer le dVdT afin de garantir le taux de rampe de sortie approprié.
CARACTÉRISTIQUES
* Plage de tension d'entrée de fonctionnement VIN : 4,5 V ~ 24 V.
* Transistor à effet de champ MOS intégré de 28 mΩ * Référence 1,34 V pour la protection contre les surtensions
* ILIMIT de courant réglable de 1A à 5A
* Taux de balayage de sortie programmable, verrouillage en cas de sous-tension (UVLO)
* Arrêt thermique intégré
* 10 broches DFN3*3 et ESOP8L
DEMANDES
• Appareils alimentés par un adaptateur
• Disques durs (HDD) et disques SSD (SSD)
• Décodeur
• Alimentation serveur/auxiliaire (AUX)
• Contrôle du ventilateur
• Cartes PCI/PCIe
Informations de commande
Numéro de pièce | Description |
MX25947D33 | DFN3*3-10L |
MX25947ES | ESOP-8L |
MPQ | 3000 pièces |
Dissipation du paquet rating
Emballer | RθJA (℃/W) |
DFN3*3-10L | 50 |
ESOP-8L | 60 |
Notes maximales absolues
Paramètre | Valeur |
NIV | -0,3 à 30V |
VIN (transitoire de 10 ms) | 33 V (maximum) |
DEHORS | -0,3 à VIN+0,3 |
IOUT | 5A |
ILIM, EN/UVLO, dVdT | -0,3V à 7V |
BFET | -0,3 V à 40 V |
Température de jonction | 150℃ |
Température de stockage, Tstg | -55 à 150℃ |
Température de pointe (soudure, 10 secondes) | 260 ℃ |
Susceptibilité aux décharges électrostatiques HBM | ±2000V |
Des contraintes supérieures à celles répertoriées dans les valeurs nominales maximales absolues peuvent causer des dommages permanents à l'appareil. L'exposition à des conditions nominales maximales absolues pendant des périodes prolongées peut affecter la fiabilité. Le fonctionnement fonctionnel de l'appareil dans des conditions autres que celles indiquées dans la section Conditions de fonctionnement recommandées n'est pas implicite.
Conditions de fonctionnement recommandéesition
Symbole | Gamme |
NIV | 4,5 V à 24 V |
dVdT, EN/UVLO, OVP | 0V à 6V |
ILIM | 0V à 3V |
IOUT | 0A à 4A |
Température ambiante | -40 ~ 85 ℃ |
Température de fonctionnement | -40 ~ 125 ℃ |
TERMINAL MISSIONS
N° de code PIN. | Nom du code PIN | Description | |
DFN3*3 | ESOP8 | ||
1 | 5 | DVDT | Attachez un condensateur de ce pin à GND pour contrôler le taux de rampe de OUT à la mise sous tension de l'appareil. |
2 |
6 |
FR/UVLO |
Il s'agit d'une broche de contrôle à double fonction. Lorsqu'elle est utilisée comme broche ENABLE et tirée vers le bas, elle coupe le MOSFET de passage interne. En tant qu'UVLOpin, il peut être utilisé pour programmer différents points UVLOtrip via un diviseur de résistance externe. |
3~5 | 7 ,8 | NIV | Tension d'alimentation d'entrée |
6~8 | 1 ,2 | DEHORS | Sortie de l'appareil |
9 | 3 | ILIM | Une résistance de ce pinto GND définira la limite de surcharge et de court-circuit. |
10 | 4 | OVP | Protection externe contre les surtensions via un diviseur de résistance. La tension de référence est de 1,34 V (typique). |
Coussin thermique | GND | Sol |
Caractère électriquestatistique
(VIN=12V, VEN/UVLO=2V, RILIM = 100kΩ, CdVdT = OUVERT. TA=25℃, sauf indication contraire)
Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Min. | Typ. | Max. | Unité |
NIP NIV | ||||||
VUVO | Seuil UVLO, en hausse | 4.0 | 4.2 | 4.5 | V | |
Seuil UVLO, en baisse | 3.8 | 4.0 | 4.3 | V | ||
IQON | Courant d'alimentation | Activé : EN/UVLO = 2 V | 0,5 | 0,6 | 0,7 | mA |
IQOFF | EN/UVLO = 0V | 0,10 | 0,18 | 0,25 | ||
FR/UVLO | ||||||
VENIR | FR Tension de seuil, en hausse | 1h30 | 1,34 | 1,38 | V | |
VENF | FR Tension de seuil, en baisse | 1,25 | 1h30 | 1,35 | V | |
IIEN | FR Courant de fuite d'entrée | 0V ≤VEN ≤ 5V | -100 | 0 | 100 | n / A |
DVDT | ||||||
IdVdT | dVdT Courant de charge | 0,2 | µA | |||
RdVdT_disch | dVdT Résistance de décharge | 60 | 80 | 100 | Ω | |
VdVdTmax | tension maximale du condensateur dVdT | 5.5 | V | |||
GAINdVdT | Gain dVdT vers OUT | 4,85 | V/V | |||
ILIM | ||||||
IILIM | Courant de polarisation ILIM | 0,5 | µA | |||
LIO |
Limite de courant de surcharge |
RILIM = 4,3 kΩ, VVIN-OUT = 1 V | 4.6 | 5 | 5.6 | UN |
RILIM = 10kΩ, VVIN-OUT = 1V | 2.5 | 3.0 | 3.5 | UN | ||
RILIM = 51kΩ, VVIN-OUT = 1V | 1.0 | 1,5 | 2.0 | UN | ||
RILIM = 100kΩ, VVIN-OUT = 1V | 0,8 | 1.0 | 1,5 | UN | ||
LIOR.Court | Limite de courant de surcharge | RILIM = 0Ω, limite de courant de résistance en court-circuit | 1.8 | UN |
Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Min. | Typ. | Max. | Unité |
IOL-R-Ouvert | Limite de courant de surcharge | RILIM = OPEN, limite de courant de résistance ouverte | 1.6 | UN | ||
ISCL |
Limite de courant de court-circuit |
RILIM = 5kΩ, VVIN-OUT = 12V | 4.0 | 4.25 | 4.5 |
UN |
RILIM = 10kΩ, VVIN-OUT = 12V | 2,76 | 2,88 | 3.0 | |||
RILIM = 51kΩ, VVIN-OUT = 12V | 1.06 | 1.14 | 1.22 | |||
RILIM = 100kΩ, VVIN-OUT = 12V | 0,86 | 0,94 | 1.0 | |||
RAPPORT DE FASTRIP | Niveau du comparateur à déclenchement rapide par rapport à la limite de courant de surcharge | IFASTRIP : LIO | 160 | % | ||
VOpenILIM | Seuil de détection de résistance ouverte ILIM | VILIM Montant, RILIM = OUVERT | 3.2 | V | ||
RDS (activé) | FET SUR résistance | 21 | 28 | 37 | mΩ | |
IOUT-OFF-LKG | OUT Courant de polarisation à l'état désactivé | VEN/UVLO = 0V, VOUT = 0V (Approvisionnement) | 3 | µA | ||
IOUT-HORS-ÉVIER | VEN/UVLO = 0V, VOUT = 300mV (Descente) | 10 | µA | |||
OVP | ||||||
VREF_OVP | Seuil OVP externe | L'OVP en hausse | 1h30 | 1,34 | 1,38 | V |
VOVPF | Hystérésis OVP | 1,25 | 1h30 | 1,35 | V | |
TSD | ||||||
TSHDN | Seuil TSD, en hausse | 131 | ℃ | |||
TSHDNhyst | Hystérésis TSD | -15 | ℃ | |||
Exigences de calendrier | ||||||
TONNE | Délai d'allumage | EN/UVLO → H à IIN = 100 mA, charge résistive 1 A à OUT | 900 | µs | ||
tOFFly | Délai d'arrêt | 20 | µs | |||
DVDT | ||||||
tdVdT |
Temps de rampe de sortie |
EN/UVLO → H vers OUT = 11,7 V, CdVdT = 0 | 1 | MS | ||
EN/UVLO → H vers OUT = 11,7 V, CdVdT = 1nF | 10 | MS | ||||
ILIM | ||||||
tFastOffDly | Retard du comparateur Fast-Trip | IOUT > IFASTRIP à IOUT= 0 (Éteindre) | 350 | ns |