ZHENGZHOU SONGYU HIGH TEMPERATURE TECHNOLOGY CO.,LTD

Il s'agit d'un projet de construction d'une centrale nucléaire.

Manufacturer from China
Fournisseur Vérifié
1 Ans
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Éléments de chauffage SiC de type SGR 1600 degrés Élément SiC pour four industriel

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ZHENGZHOU SONGYU HIGH TEMPERATURE TECHNOLOGY CO.,LTD
Ville:zhengzhou
Province / État:henan
Pays / Région:china
Contact:Mrchen
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Éléments de chauffage SiC de type SGR 1600 degrés Élément SiC pour four industriel

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Quantité minimale de commande :10 pièces
Conditions de paiement :T/T, Western Union
Capacité à fournir :L'industrie de l'étincelle (Henan) Co., Ltd.
Délai de livraison :15 jours ouvrables
Détails de l'emballage :boîtier en bois
Lieu d'origine :Chine
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Éléments de chauffage SiC de type SGR

 

La tige en carbure de silicium à double fil est fabriquée avec précision et soin.Le matériau est soigneusement sélectionné pour résister à une chaleur extrême sans se détériorer rapidement.Il est donc idéal pour les applications nécessitant des éléments de chauffage durables.
Contrairement à certaines alternatives de qualité inférieure, la tige en carbure de silicium à double fil est conçue pour maintenir son intégrité structurelle même en cas d'utilisation continue à haute température.Le double filetage assure une stabilité et une résistance supplémentaires, réduisant le risque de rupture ou de dommages, ce qui se traduit par une durée de vie plus longue et des remplacements moins fréquents, ce qui permet d'économiser du temps et de l'argent.
En plus de sa durabilité, le matériau utilisé dans la tige à double fil de carbure de silicium offre une excellente conductivité thermique.s'assurer que la température souhaitée est atteinte rapidement et maintenue avec précisionLa conductivité thermique élevée contribue également à réduire la consommation d'énergie, ce qui en fait un choix respectueux de l'environnement.

Température maximale 1600°C
Diamètre 8 mm à 54 mm
Application du projet Chauffage industriel
Voltage Pour les appareils électroniques
Température de fonctionnement 1300°C à 1500°C
Longueur 300 mm à 3000 mm
Matériel Carbure de silicium
Résistance 1.2Ω à 10Ω
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