W29C040T-90B 512K X 8 CMOS Flah Memory IC Chip 4 mégabites 5 volts

W29C040T-90B Détails du produit

Définition générale

Le W29C040 est un 4 mégabits, 5 volts seulement CMOS modes de page Les autresh Mémoire organisée en 512K ́8 bits. L'appareil peut être écrit (effacé et programmé) dans le système avec une alimentation standard de 5 V. Un VPP de 12 volts n'est pas nécessaire.L'architecture unique de la cellule du W29C040 permet d'écrire rapidement (effacer / programmer) avec une consommation de courant extrêmement faible (par rapport à d'autres produits de mémoire flash de 5 volts comparablesLe dispositif peut également être effacé et programmé à l'aide de programmeurs EPROM standard.

Caractéristiques

· Opérations d'écriture (effacement et programmation) simples à 5 volts

· Opérations d'écriture rapide

- 256 octets par page

- Cycle d'écriture (effacement/programme) de page: 5 ms (typiquement)

- Durée effective du cycle d'écriture (effacement/programme): 19,5 ms

- Écriture optionnelle des données protégées par logiciel

· Opération rapide d'effacement des puces: 50 mS

· Deux blocs de démarrage de 16 KB avec verrouillage

· Cycles d'écriture (effacement/programme) de page: 50K (typiquement)

· Temps d'accès à la lecture: 70/90/120 nS

· Rétention des données pendant dix ans

· Protection des données logicielles et matérielles

· Faible consommation d'énergie

- courant actif: 25 mA (typiquement)

- courant de veille: 20 mA (typiquement)

·Temps d'écriture (effacement/programme) automatique avec génération interne de VPP

· Détection de fin d'écriture (effacement/programme)

- Un peu de basculement.

- Des sondages de données

· Adresse et données verrouillées

· Toutes les entrées et sorties sont directement compatibles TTL

· Pinouts à largeur d'octet standard JEDEC

· Packs disponibles: 32 broches 600 mil DIP, TSOP et PLCC