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BS816A-1 Mode d'amélioration des canaux P DMOS TRANSISTOR Transistors RF à haute puissance

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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BS816A-1 Mode d'amélioration des canaux P DMOS TRANSISTOR Transistors RF à haute puissance

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Numéro de modèle :BS816A-1
Lieu d'origine :États-Unis
Quantité minimale de commande :1 PCS
Conditions de paiement :T/T, Western Union
Capacité à fournir :5000
Délai de livraison :1 jour
Détails de l'emballage :La norme
Code de la date :Code le plus récent
Expédition par :DHL/UPS/FEDEX
Condition :Nouveau*Original
Garantie :365 jours
sans plomb :Conforme à la norme Rohs
Temps de réalisation :Envoi immédiat
Le paquet :16POSN
Mode de montage :DSM/SMT
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BS816A-1 Mode d'amélioration des canaux P DMOS TRANSISTOR Les transistors RF

Diodes électroniques
Catégorie de produit: Amélioration du canal P
Pour les véhicules à moteur: Détails
-
16POSN
La norme
Poids unitaire: - Une once.

 

Ce transistor est adapté pour les amplificateurs de puissance RF dans diverses applications telles que la communication sans fil,

Les équipements de radiodiffusion et les équipements RF industriels.

● Mode d'amélioration du canal P
● Technologie des transistors DMOS
● Une grande capacité de traitement de la puissance
● Une large plage de fréquences
● Faible bruit
● Un gain élevé
● Une bonne linéarité
● Une légère distorsion du signal
● Conforme à la directive RoHS

 

 

Caractéristiques
• Voltage de rupture élevé
• Impédance d'entrée élevée
• Vitesse de commutation rapide
• Spécialement adapté aux sous-ensembles téléphoniques
• Idéal pour le montage automatique de la surface

 

BS816A-1 Mode d'amélioration des canaux P DMOS TRANSISTOR Transistors RF à haute puissance

BS816A-1 Mode d'amélioration des canaux P DMOS TRANSISTOR Transistors RF à haute puissance

 

 

 


 

BS816A-1 Mode d'amélioration des canaux P DMOS TRANSISTOR Transistors RF à haute puissance

 

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