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Fournisseur Vérifié
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ZXTN25100BFHTA Transistors bipolaires (BJT) NPN 100 V 3 A 160MHz Transistors RF de 1,25 W

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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ZXTN25100BFHTA Transistors bipolaires (BJT) NPN 100 V 3 A 160MHz Transistors RF de 1,25 W

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Numéro de modèle :Pour les appareils de type "A"
Lieu d'origine :États-Unis
Quantité minimale de commande :1 PCS
Conditions de paiement :T/T, Western Union
Capacité à fournir :5000
Délai de livraison :1 jour
Détails de l'emballage :Le rouleau
Code de la date :Code le plus récent
Expédition par :DHL/UPS/FEDEX
Condition :Nouveau*Original
Garantie :365 jours
sans plomb :Conforme à la norme Rohs
Temps de réalisation :Envoi immédiat
Le paquet :Le SOT-23-3
Mode de montage :DSM/SMT
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ZXTN25100BFHTA Transistors bipolaires (BJT) NPN 100 V 3 A 160MHz Transistors RF de 1,25 W

ZXTN25100BFHTA Transistor bipolaire (BJT) NPN 100 V 3 A 160MHz 1,25 W Monture de surface
Diodes incorporées
Catégorie de produit: Transistors bipolaires - BJT
Pour les véhicules à moteur: Détails
DSM/SMT
Le SOT-23-3
NPN
Unique
Pour les appareils électroniques
Unité de régulation
7 V
200 mV
3 A
1.81 W
160 MHz
- 55 °C
+ 150 °C
Pour les appareils de surveillance
Le rouleau
Couper la bande
MouseReel
Marque: Diodes incorporées
La hauteur: 1 mm
Longueur: 30,05 mm
Type de produit: BJT - Transistors bipolaires
Subcatégorie: Transistors et appareils électroniques
Technologie: Je sais.
Largeur: 1.4 mm
Poids unitaire: 0.000282 oz

Statut du produit
Actif
Type de transistor
Courant - collecteur (Ic) (maximum)
3 A
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max)
Pour les appareils électroniques
Vce saturation (max) @ Ib, Ic
Pour les appareils de commande électronique, le régulateur de tension doit être utilisé.
Courant - Coupe du collecteur (maximum)
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la fréquence d'émission de CO2.
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 10 mA, 2 V
Puissance maximale
1.25 W
Fréquence - Transition
160 MHz
Température de fonctionnement
-55°C à 150°C (TJ)
Type de montage
Monture de surface
Emballage / boîtier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur
Le SOT-23-3

Caractéristiques
Le débit d'électricité doit être supérieur à 100 V.
Le système de freinage doit être équipé d'un dispositif de freinage de freinage de freinage de freinage.
BVEco > 6V Voltage de blocage inverse
Ic = 3A de courant continu élevé dans le collecteur
La tension de saturation basse, VCE(SAT) est inférieure à 80mV @1A
RCE ((SAT) = 67mQ pour une faible résistance équivalente
1Dissipation de puissance de 25 W
hFE Spécifié jusqu'à 3A pour le freinage des gains de courant
Type de PNP complémentaire: ZXTP25100BFH
Totalement exempt de plomb et entièrement conforme à la directive RoHS (notes 1 et 2)
Dispositif exempt d'halogène et d'antimonyme (note 3)
Qualifié selon les normes AEC-Q101 pour la haute résilience

Données mécaniques
Le cas: SOT23
Matériau du boîtier: plastique moulé, composé moulé "vert";
Classification UL de la flammabilité 94V-0
Sensitivité à l'humidité: niveau 1 par J-STD-020
Terminals: Finition - Plomb mat plaqué d'étain, soudable par
Le produit doit être présenté à l'autorité compétente.
Poids 0,008 grammes (environ)


Applications
Rélecteurs de lampes et solénoïdes
Transition générale dans les applications automobiles et industrielles
●Action et contrôle du moteur

ZXTN25100BFHTA Transistors bipolaires (BJT) NPN 100 V 3 A 160MHz Transistors RF de 1,25 W

  1. Type: Transistor à jonction bipolaire NPN (négatif-positif-négatif)
  2. Tension nominale: 100 V (tension maximale collecteur-émetteur)
  3. Courant nominal: 3 A (courant maximal du collecteur)
  4. Fréquence: 160 MHz (fréquence maximale à laquelle il peut fonctionner efficacement)
  5. Dissipation de puissance: 1,25 W (puissance maximale qui peut être dissipée par le transistor)
  6. Type d'emballage: Emballage à montage de surface (SMT), qui est un type d'emballage qui permet
  • pour le montage sur la surface d'une carte de circuit imprimé (PCB) sans nécessiter de soudure par trou.

ZXTN25100BFHTA Transistors bipolaires (BJT) NPN 100 V 3 A 160MHz Transistors RF de 1,25 W

ZXTN25100BFHTA Transistors bipolaires (BJT) NPN 100 V 3 A 160MHz Transistors RF de 1,25 W

ZXTN25100BFHTA Transistors bipolaires (BJT) NPN 100 V 3 A 160MHz Transistors RF de 1,25 W

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