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2SC5200-O(Q) Transistor bipolaire (BJT) NPN 230 V 15 A 30 MHz 150 W à travers le trou
| Toshiba | |
| Catégorie de produit: | Transistors bipolaires - BJT |
| Pour les véhicules à moteur: | Détails |
| À travers le trou | |
| Pour TO-3P-3 | |
| NPN | |
| Unique | |
| 230 V | |
| 230 V | |
| 5 V | |
| 400 mV | |
| 15 A | |
| 150 W | |
| 30 MHz | |
| - | |
| + 150 °C | |
| 2SC | |
| Plateau | |
| Marque: | Toshiba |
| Courant continu du collecteur: | 15 A |
| Le collecteur de courant continu/gain de base hfe Min: | 55 |
| Gain de courant continu hFE max: | 160 |
| La hauteur: | 26 mm |
| Longueur: | 20.5 mm |
| Type de produit: | BJT - Transistors bipolaires |
| Subcatégorie: | Transistors et appareils électroniques |
| Technologie: | Je sais. |
| Largeur: | 5.2 mm |
| Poids unitaire: | 0.239863 onces |
Applications des amplificateurs de puissance
• Voltage de rupture élevé: VCEO = 230 V (min)
• complémentaire à 2SA1943
• Convient pour une utilisation dans le stade de sortie d'un amplificateur audio haute fidélité de 100 W
Les spécifications