Wisdtech Technology Co.,Limited

WisdTech · Fabricant de services d'intégration de produits électroniques

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D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz Transistor de puissance RF à poussée-tirée MOSFET

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz Transistor de puissance RF à poussée-tirée MOSFET

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Numéro de modèle :D2085Royaume-Uni
Lieu d'origine :Royaume-Uni
Quantité minimale de commande :1 pièces
Conditions de paiement :Paypal, TT, Western Union
Capacité à fournir :100 pièces
Délai de livraison :1 jour
Détails de l'emballage :La norme
Le stock :200 pièces
Méthode de transport :LCL, AIR, FCL, express
Définition :D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz Transistor de puissance RF à poussée-tirée MOSFET
Code de la date :Code le plus récent
Expédition par :DHL/UPS/Fedex
Condition :Nouveau*Original
Garantie :365 jours
sans plomb :Conforme à la norme Rohs
Temps de réalisation :Envoi immédiat
le paquet :La norme
Mode de montage :À travers le trou
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D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz Transistor de puissance RF à poussée-tirée MOSFET

D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz poussée-pull RF transistor de puissance MOSFET

TT électronique
Catégorie de produit: TT électronique
Marque: Semelab / TT électronique

Le D2085UK est un MOSFET de puissance de transistor RF push-pull qui fonctionne à une tension de 28V et peut gérer une puissance de sortie de 120W. Il est conçu pour une utilisation dans la gamme de fréquences de 1MHz à 1000MHz.

  1. MOSFET au silicium:

    • MRF140: ligne MOSFET RF, 30 W, jusqu'à 400 MHz, 28 VLes produits de base
    • MRF134: Puissance RF haut débit FET, 5,0 W, jusqu'à 400 MHz, 28 V
    • MRF151D: Transistor à effet de champ de puissance RF, 150W, 50V, 175MHz, MOSFET à large bande N-ChannelLes produits de base
  2. Transistor de puissance RF D-MOS poussée-tirée, 28V, 75W, 25A

    • Ce résultat de recherche ne semble pas être lié au D2085UK, mais il fournit des informations sur un transistor de puissance RF différent.
  3. Transistor de puissance RF coupé - Emprints - Forums KiCad.info

D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz Transistor de puissance RF à poussée-tirée MOSFET

Le D2085UK est un MOSFET de puissance de transistor RF push-pull qui fonctionne à une tension de 28V et peut gérer une puissance de sortie de 120W. Il est conçu pour une utilisation dans la gamme de fréquences de 1MHz à 1000MHz.

  1. MOSFET au silicium:

    • MRF140: ligne MOSFET RF, 30 W, jusqu'à 400 MHz, 28 VLes produits de base
    • MRF134: Puissance RF haut débit FET, 5,0 W, jusqu'à 400 MHz, 28 V
    • MRF151D: Transistor à effet de champ de puissance RF, 150W, 50V, 175MHz, MOSFET à large bande N-ChannelLes produits de base
  2. Transistor de puissance RF D-MOS poussée-tirée, 28V, 75W, 25A

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Le D2085UK est un MOSFET de puissance de transistor RF push-pull qui fonctionne à une tension de 28V et peut gérer une puissance de sortie de 120W. Il est conçu pour une utilisation dans la gamme de fréquences de 1MHz à 1000MHz.

  1. MOSFET au silicium:

    • MRF140: ligne MOSFET RF, 30 W, jusqu'à 400 MHz, 28 VLes produits de base
    • MRF134: Puissance RF haut débit FET, 5,0 W, jusqu'à 400 MHz, 28 V
    • MRF151D: Transistor à effet de champ de puissance RF, 150W, 50V, 175MHz, MOSFET à large bande N-ChannelLes produits de base
  2. Transistor de puissance RF D-MOS poussée-tirée, 28V, 75W, 25A

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D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz Transistor de puissance RF à poussée-tirée MOSFET

Le D2085UK est un MOSFET de puissance de transistor RF push-pull qui fonctionne à une tension de 28V et peut gérer une puissance de sortie de 120W. Il est conçu pour une utilisation dans la gamme de fréquences de 1MHz à 1000MHz.

  1. MOSFET au silicium:

    • MRF140: ligne MOSFET RF, 30 W, jusqu'à 400 MHz, 28 VLes produits de base
    • MRF134: Puissance RF haut débit FET, 5,0 W, jusqu'à 400 MHz, 28 V
    • MRF151D: Transistor à effet de champ de puissance RF, 150W, 50V, 175MHz, MOSFET à large bande N-ChannelLes produits de base
  2. Transistor de puissance RF D-MOS poussée-tirée, 28V, 75W, 25A

    • Ce résultat de recherche ne semble pas être lié au D2085UK, mais il fournit des informations sur un transistor de puissance RF différent.
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