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Machine de revêtement de pulvérisation de magnétron de C.C/système de pulvérisation de C.C
Modèles de pulvérisation magnétron : pulvérisation c.c., pulvérisation MF, pulvérisation RF
Qu'est-ce que la pulvérisation c.c. ?
La pulvérisation CC est principalement utilisée pour pulvériser des cibles métalliques pures telles que : chrome, titane, aluminium, cuivre, acier inoxydable, nickel, argent, or pour les films à haute conductivité.
La pulvérisation CC est une technique de revêtement par dépôt physique en phase vapeur (PVD) à couche mince dans laquelle un matériau cible à utiliser comme revêtement est bombardé de molécules de gaz ionisé provoquant la « pulvérisation » des atomes dans le plasma.Ces atomes vaporisés se déposent ensuite lorsqu'ils se condensent en un film mince sur le substrat à revêtir.
La pulvérisation CC est le type de pulvérisation le plus basique et le moins coûteux pour le dépôt de métal PVD et les matériaux de revêtement cibles électriquement conducteurs.Deux avantages majeurs du courant continu en tant que source d'alimentation pour ce processus sont qu'il est facile à contrôler et qu'il s'agit d'une option peu coûteuse si vous effectuez un dépôt de métal pour le revêtement.
La pulvérisation CC est largement utilisée dans l'industrie des semi-conducteurs pour créer des circuits de micropuces au niveau moléculaire.Il est utilisé pour les revêtements de pulvérisation d'or de bijoux, de montres et d'autres finitions décoratives, pour les revêtements non réfléchissants sur le verre et les composants optiques, ainsi que pour les plastiques d'emballage métallisés, les rétroviseurs de voiture, les réflecteurs d'éclairage de voiture, les roues et les moyeux de voiture, etc.
Machine de revêtement par pulvérisation magnétron DCPerformance
1. Pression de vide ultime : meilleure que 5,0 × 10-6Torr.
2. Pression de vide de fonctionnement : 1,0 × 10-4Torr.
3. Temps de pompage : de 1 atm à 1,0×10-4Torr≤ 3 minutes (température ambiante, chambre sèche, propre et vide)
4. Matériau de métallisation (pulvérisation + évaporation à l'arc) : Ni, Cu, Ag, Au, Ti, Zr, Cr, TiN, TiC, TiAlN, CrN, CrC, etc.
5. Modèle de fonctionnement : Entièrement automatique/semi-automatique/manuellement
Structure de la machine de revêtement par pulvérisation magnétron DC
La machine de revêtement sous vide contient le système clé complet répertorié ci-dessous :
1. Chambre à vide
2. Système de pompage à vide Rouhging (ensemble de pompe de soutien)
3. Système de pompage à vide poussé (pompe moléculaire à suspension magnétique)
4. Système de contrôle et d'exploitation électrique
5. Système d'installation auxiliaire (sous-système)
6. Système de dépôt : cathode de pulvérisation c.c., alimentation c.c., source d'ions d'alimentation de polarisation en option
Machine de revêtement par pulvérisation magnétron DCCaractéristiques
| RTSP1250-DC | |||||||
| MAQUETTE | RTSP1250-DC | ||||||
| LA TECHNOLOGIE | Pulvérisation magnétron (DC) + placage ionique | ||||||
| MATÉRIEL | Acier inoxydable (S304) | ||||||
| TAILLE DE LA CHAMBRE | Φ1250*H1250mm | ||||||
| TYPE DE CHAMBRE | Cylindre, vertical, 1 porte | ||||||
| SYSTÈME DE PULVÉRISATION | Conception exclusive pour le dépôt d'un film noir fin | ||||||
| MATÉRIEL DE DÉPÔT | Aluminium, argent, cuivre, chrome, acier inoxydable, nickel, titane | ||||||
| SOURCE DE DÉPÔT | Cibles de pulvérisation cathodiques/planaires + 7 sources d'arc cathodique dirigées | ||||||
| GAZ | MFC- 4 voies, Ar, N2, O2, C2H2 | ||||||
| CONTRÔLER | PLC (contrôleur logique programmable) + Écran tactile |
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| SYSTÈME DE POMPE | SV300B - 1 jeu (Leybold) | ||||||
| WAU1001 - 1 jeux (Leybold) | |||||||
| D60T-2 ensembles (Leybold) | |||||||
| Pompes Turbo Moléculaires : 2* F-400/3500 | |||||||
| PRÉ-TRAITEMENT | Alimentation de polarisation : 1*36 KW | ||||||
| SYSTÈME DE SÉCURITÉ | Nombreux verrouillages de sécurité pour protéger les opérateurs et l'équipement |
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| REFROIDISSEMENT | Eau froide | ||||||
| PUISSANCE ÉLECTRIQUE | 480V/3 phases/60HZ (conforme aux États-Unis) | ||||||
| 460V/3 phases/50HZ (conforme à l'Asie) | |||||||
| 380V/3 phases/50HZ (conforme EU-CE) | |||||||
| EMPREINTE | L3000*W3000*H2000mm | ||||||
| POIDS TOTAL | 7.0T | ||||||
| EMPREINTE | (L*W*H) 5000*4000 *4000 MM | ||||||
| TEMPS D'UN CYCLE | 30 ~ 40 minutes (selon le matériau du substrat, géométrie du substrat et conditions environnementales) |
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| PUISSANCE MAX.. | 155KW | ||||||
| CONSOMMATION ÉLECTRIQUE MOYENNE (ENVIRON) | 75KW | ||||||
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