Le pulvérisation par magnétron est largement utilisé pour déposer des métaux réfractaires comme le tantale, le titane, le tungstène,niobium, qui nécessiterait des températures de dépôt très élevées, et les métaux précieux: or et argent et qui est également utilisé pour le dépôt de métaux à point de fusion inférieur comme le cuivre, l'aluminium, le nickel, le chrome, etc.

Le tantale est le plus utilisé dans l'électroniquesecteur industrielcomme revêtement de protection en raison de sa bonne résistance à l'érosion.

Applications du film mince de tantale pulvérisé:
1- l'industrie de la microélectronique, les films pouvant être pulvérisés de manière réactive et contrôler ainsi la résistivité et le coefficient de température de la résistance;

Des instruments médicaux tels que des implants corporels pour sa propriété de haute biocompatibilité;
les revêtements sur les pièces résistantes à la corrosion, telles que les thermocouples, les corps de vannes et les fixations;
Le tantale pulvérisé peut également être utilisé comme une barrière de résistance à la corrosion efficace si le revêtement est continu, défectueux et adhère au substrat..

5Industrie des semiconducteurs, puces microélectroniques

Les avantages techniques

Un chariot normalisé est appliqué, ce qui permet de charger/décharger facilement et en toute sécurité les supports de substrat et les pièces de travail à l'intérieur/à l'extérieur de la chambre de dépôt.
Le système est verrouillé en sécurité pour éviter un mauvais fonctionnement ou des pratiques dangereuses.
Les chauffeurs de substrat sont fournis qui montés dans le centre de la chambre, thermocouple contrôlé par PID pour une haute précision, pour améliorer l'adhérence du film de condensation
Configurations de pompes à vide puissantes avec pompe moléculaire à suspension magnétique via une vanne de porte connectée à la chambre; soutenue par la pompe à racines de Leybold et la pompe à palettes rotatives à deux étages, pompe mécanique.
Une source de plasma ionisé à haute énergie est appliquée avec ce système pour garantir l'uniformité et la densité.

Système de dépôt par pulvérisation de tantale normalisé de Royal Technology: RTSP1000

Principales configurations
Modèle	RTSP1200
La mise en œuvre de l'accord	Pulsation par pulsation de magnétrons à courant continu Plaquage par arc cathodique (en option, déterminé par procédé de revêtement), source de faisceau ionique
Matériel de la chambre	Acier inoxydable (S304)
Taille de la chambre	Φ1200*1300 mm (H)
Type de chambre	Forme D, chambre cylindrique
RECK de rotation et système JIG	Système de pilotage par satellite ou système de pilotage central
ÉNERGIE	Énergie de pulvérisation en continu: 2 à 4 ensembles Bias Appui électrique: 1 jeu Source ionique: 1 jeu
Matériel de dépôt	Ta, Ti/Cr/TiAl, Au, Ag, Cu, etc.
Source de dépôt	Catodes à pulvérisation planée + cathodes à arc circulaire
Contrôle	PLC ((contrôleur logique programmable) + IPC (modèles de fonctionnement manuel + automatique + semi-automatique)
Système de pompage	Pompes à vannes rotatives: SV300B 1 jeu (Leybold)
	Pompes à racines: WAU1001 1 jeu (Leybold)
	Pompes de maintien: D60C 1 jeu (Leybold)
	Pompes moléculaires à suspension magnétique: Le MAG2200 2 sest (Leybold)
Contrôleur de débit de masse de gaz	2 canaux: Ar et N2
ÉVÉNEMENT du vide	Inficon ou Leybold
Système de sécurité	Nombreux interblocs de sécurité pour protéger les opérateurs et les équipements
Le chauffage	Les appareils de chauffage: 20 kW, température maximale: 450 °C
RÉFRÉGRATION	Chiller industriel (eau froide)
Le pouvoir max.	Le nombre de fois où le système est utilisé est de 100 kW (environ).
Consommation moyenne d'électricité	Le nombre de sièges est calculé en fonction du nombre de sièges.
Poids brut	T (environ)
Emprunt de pied	(LWH) 400040003600 MM
L'énergie électrique	L'équipement doit être équipé d'un système de freinage.

Veuillez nous contacter pour plus d'applications et de spécifications.

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