SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
LE COMMERCE CÉLÈBRE CIE., LTD DE CHANGHAÏ
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substrats de saphir du ssp 1.0mmt du diamètre 150mm 6inch Al2O3 DSP/pour PSS mené
Application
Utilisé comme matériel de fenêtre
Le saphir synthétique (parfois désigné sous le nom du verre de saphir) est utilisé généralement comme matériel de fenêtre, parce qu'il est tous deux fortement transparents aux longueurs d'onde de la lumière entre 150 nanomètre (UV) et 5500 le nanomètre (IR) (le spectre évident prolonge environ 380 nanomètre à 750 nanomètre, et extraordinairement éraflure-résistant. Les avantages principaux des fenêtres de saphir sont :
* bande optique très large de transmission d'UV à proche-infrarouge
* sensiblement plus forts que d'autres matériaux ou vitraux optiques
* de haute résistance à l'éraflure et à l'abrasion (9 sur l'échelle de Mohs de l'échelle minérale de dureté, à 3ème la plus dure substance naturelle à côté de moissanite et aux diamants)
* gaufrettes extrêmement de fusion élevée du saphir SSP/DSP de C-avion de m-axe de la température (2030 °C) 6inch/5inch/2inch /3inch 4inch /5inch C-axis/a-axis/r-axis/6"/6inch dia150mm avec l'épaisseur 650um/1000um
| GÉNÉRALITÉS | |||||
| Formule chimique | Al2O3 | ||||
| Structure cristalline | Système hexagonal ((le HK o 1) | ||||
| Dimension de cellules d'unité | a=4.758 Å, Å c=12.991 Å, c : a=2.730 | ||||
| PHYSIQUE | |||||
| Métrique | L'anglais (impérial) | ||||
| Densité | 3,98 g/cc | 0,144 lb/in3 | |||
| Dureté | 1525 - 2000 Knoop, 9 mhos | 3700° F | |||
| Point de fusion | 2310 K (2040° C) | ||||
| STRUCTUREL | |||||
| Résistance à la traction | MPA 275 à MPA 400 | 40 000 à 58 000 livres par pouce carré | |||
| à 20° | MPA 400 | 58 000 livres par pouce carré (conception mn) | |||
| à 500° C | MPA 275 | 40 000 livres par pouce carré (conception mn) | |||
| à 1000° C | MPA 355 | 52 000 livres par pouce carré (conception mn) | |||
| Stength de flexion | MPA 480 à MPA 895 | 70 000 à 130 000 livres par pouce carré | |||
| Force de compression | 2,0 GPa (final) | 300 000 livres par pouce carré (de final) |
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Utilisation comme substrat pour les circuits semi-conducteurs
Les gaufrettes minces de saphir étaient la première utilisation réussie d'un substrat isolant sur lequel pour déposer le silicium pour faire connaître les circuits intégrés comme silicium sur le saphir ou le « SOS », sans compter que ses excellentes propriétés isolantes électriques, le saphir a la conduction thermique élevée. Les puces de CMOS sur le saphir sont particulièrement utiles pour des applications de haute puissance de (RF) de radiofréquence comme ceux trouvés dans les téléphones cellulaires, les radios de bande de public-sécurité, et des systèmes de communication satellites.
Des gaufrettes du saphir monocristallin sont également employées dans l'industrie de semi-conducteur comme substrats pour la croissance des dispositifs basés sur la nitrure de gallium (GaN). L'utilisation du saphir réduit de manière significative le coût, parce qu'elle a environ un septième du coût de germanium. La nitrure de gallium sur le saphir est utilisée généralement dans des diodes électroluminescentes bleues (LEDs).
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Gaufrette standard (customzied) gaufrette SSP/DSP de saphir de C-avion de 2 pouces
gaufrette SSP/DSP de saphir de C-avion de 3 pouces gaufrette SSP/DSP de saphir de C-avion de 4 pouces gaufrette SSP/DSP de saphir de C-avion de 6 pouces |
Coupe de Special
1120) gaufrettes de saphir d'Un-avion ( 1102) gaufrettes de saphir de R-avion ( 1010) gaufrettes de saphir de M-avion ( 1123) gaufrettes de saphir de N-avion ( C-axe avec une chute de 0.5°~ 4°, vers l'Un-axe ou le M-axe L'autre orientation adaptée aux besoins du client |
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Taille adaptée aux besoins du client
gaufrette de saphir de 10*10mm gaufrette de saphir de 20*20mm Gaufrette ultra mince du saphir (100um) gaufrette de saphir de 8 pouces |
Substrat modelé (PSS) de saphir
C-avion PSS de 2 pouces C-avion PSS de 4 pouces |
| 2inch |
DSP C-AXIS 0.1mm/0.175mm/0.2mm/0.3mm/0.4mm /0.5mm/ 1.0mmt C-axe 0.2/0.43mm de SSP (DSP&SSP) A-axis/M-axis/R-axis 0.43mm
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| 3inch |
C-axe 0.43mm/0.5mm de DSP/SSP
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| 4Inch |
c-axe 0.4mm/0.5mm/1.0mm de dsp c-axe 0.5mm/0.65mm/1.0mmt de ssp
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| 6inch |
c-axe 1.0mm/1.3mmm de ssp
c-axe 0.65mm/0.8mm/1.0mmt de dsp
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Spécifications pour des substrats
| Orientation | R-avion, C-avion, Un-avion, M-avion ou une orientation spécifique | ||
| Tolérance d'orientation | ± 0.1° | ||
| Diamètre | 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces, 5inch, 6 pouces, 8 pouces ou d'autres | ||
| Tolérance de diamètre | 0.1mm 2 pouces, 0.2mm 3 pouces, 0.3mm 4 pouces, 0.5mm 6 pouces | ||
| Épaisseur | 0.08mm, 0.1mm, 0.175mm, 0.25mm, 0.33mm, 0.43mm, 0.65mm, 1mm ou d'autres ; | ||
| Tolérance d'épaisseur | 5μm | ||
| Longueur plate primaire | 16.0±1.0mm 2 pouces, 22.0±1.0mm 3 pouces, 30.0±1.5mm 4 pouces, 47.5/50.0±2.0mm 6 pouces | ||
| Orientation plate primaire | ± 0.2° du l'Un-avion (1 1-2 0) ; C-avion (0 0-0 1) ± 0.2°, C-axe projeté 45 +/- 2° | ||
| TTV | ≤7µm 2 pouces, ≤10µm 3 pouces, ≤15µm 4 pouces, ≤25µm 6 pouces | ||
| ARC | ≤7µm 2 pouces, ≤10µm 3 pouces, ≤15µm 4 pouces, ≤25µm 6 pouces | ||
| Surface avant | Epi-poli (Ra< 0=""> | ||
| Surface arrière | La terre fine (Ra=0.6μm~1.4μm) ou Epi-poli | ||
| Empaquetage | Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100 | ||
Détail de produits
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