4H-N Grade d'essai 6 pouces de diamètre 150 mm carbure de silicium sous-strats à cristal unique (sic) plaquettes, lingots de cristal sicune teneur en dioxyde de dioxyde de carbone inférieure ou égale à 50%Wafer en cristal de carbure de silicium/Wafer sur mesure en silicone coupé

À propos du carbure de silicium (SiC)

Le carbure de silicium (SiC), également connu sous le nom de carborundum, est un semi-conducteur contenant du silicium et du carbone avec la formule chimique SiC.Le SiC est utilisé dans les appareils électroniques à semi-conducteurs fonctionnant à haute température ou à haute tensionSiC est également l'un des composants importants des LED, c'est un substrat populaire pour la culture des appareils GaN et il sert également de diffuseur de chaleur dans les LED haute puissance

4 pouces de diamètre de carbure de silicium (SiC) Spécification du substrat

Grade		Niveau de production de MPD zéro (Classe Z)	Grade de production (Classe P)	Grade de factice (grade D)
Diamètre		990,5-100 mm
Épaisseur	4H-N	350 μm±25 μm
	4H-SI	500 μm±25 μm
Orientation de la gaufre		À l'extérieur de l'axe: 4,0° vers le bas 1120 > ± 0,5° pour 4H-N Sur l'axe : <0001> ± 0,5° pour 4H-SI
Densité des micropipes	4H-N	≤0.5 cm- Deux.	≤2 centimètres- Deux.	≤15 cm- Deux.
	4H-SI	≤1 cm- Deux.	≤5 centimètres- Deux.	≤15 cm- Deux.
Résistance	4H-N	00,015 à 0,025 Ω·cm		00,015 à 0,028 Ω·cm
	4H-SI	≥1E7 Ω·cm		≥1E5 Ω·cm
Le premier appartement		{10-10} ± 5,0°
Longueur plate primaire		32.5 mm±2,0 mm
Longueur plate secondaire		18.0 mm±2,0 mm
Orientation à plat secondaire		Sicile face vers le haut: 90° CW. de la plaine principale ±5,0°
Exclusion des bords		2 mm
LTV/TTV/Bow/Warp		≤4 μm/≤10 μm /≤25 μm /≤35 μm		≤10 μm/≤15 μm /≤25 μm /≤40 μm
Roughness (graisseuse)		Ra polonais≤1 nm
		CMP Ra≤0.5 nm
Les fissures dues à la lumière de haute intensité		Aucune		Longueur cumulée≤10 mm, longueur unique ≤2 mm
Plaques hexagonales par haute intensité lumineuse		Surface cumulée≤00,05 pour cent		Surface cumulée≤00,1%
Zones de polytypes par intensité lumineuse		Aucune		Surface cumulée≤3%
Inclusions de carbone visuel		Surface cumulée≤00,05 pour cent		Surface cumulée≤3%
Écorchures par la lumière de haute intensité		Aucune		Longueur cumulée≤1×diamètre de la gaufre
Puce de bordure		Aucune		5 est autorisé,≤1 mm par pièce
Contamination par la lumière à haute intensité		Aucune
Emballage		Cassette à plaquettes multiples ou récipient à plaquette unique

Nom de l'entreprise:
* Les limites de défauts s'appliquent à l'ensemble de la surface de la gaufre, à l'exception de la zone d'exclusion des bords.

À propos des applications des substrats SiC

Catalogue de taille commune

Type 4H-N / plaquette SiC de haute pureté/ingots Wafer SiC de type N de type 4H de 2 pouces/ingots Wafer SiC de type N 4H de 3 pouces Plaquettes SiC de type N de type 4H de 4 pouces ou lingots Wafer SiC de type N de 6 pouces 4H/ingots	4H semi-isolateur / haute puretéWafer au SiC Wafer SiC semi-isolateur de 2 pouces 4H Wafer SiC semi-isolateur de 3 pouces 4H Wafer SiC semi-isolant de 4 pouces et 4H Wafer SiC semi-isolateur de 6 pouces 4H
Wafer SiC de type N 6H Wafer SiC de type N 6H de 2 pouces/ingot	Taille personnalisée pour 2-6 pouces

Ventes et service à la clientèle

Achat de matériaux

Le département des achats de matériaux est chargé de rassembler toutes les matières premières nécessaires à la fabrication de votre produit.l'analyse chimique et physique sont toujours disponibles.

Qualité

Pendant et après la fabrication ou l'usinage de vos produits, le service de contrôle de la qualité s'assure que tous les matériaux et les tolérances respectent ou dépassent vos spécifications.

Le service

Nous sommes fiers d'avoir un personnel d'ingénieurs commerciaux avec plus de 5 ans d'expérience dans l'industrie des semi-conducteurs.Ils sont formés pour répondre à des questions techniques et fournir des devis en temps opportun pour vos besoins.

Nous sommes à vos côtés quand vous avez un problème, et nous le résolvons en 10 heures.

Mots clés: plaquette de silicone, plaquette de carbure de silicium, plaquette factice de première qualité

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