SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
LE COMMERCE CÉLÈBRE CIE., LTD DE CHANGHAÏ
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2inch /3inch 4inch /5inch/6inch C-axis/a axis/ r axis/ m-axis 6"/6inch dia150mm C-plane Sapphire SSP/DSP wafers with 650um/1000um Thickness2inch 4inch customized A axis sapphire wafers for epitaxial growth 430um SSP DSP
En raison du réseau moins mal assorti et des propriétés chimiques et physiques stables, la gaufre en saphir ((Al2O3) est le substrat populaire pour les nitrides III-V, les supraconducteurs et les épi-films magnétiques.Ils sont largement utilisés dans GaN et la croissance épitaxielle à film mince, le silicium sur le saphir, le marché des LED et l'industrie optique.
ZMSH est un fournisseur professionnel de plaquettes en saphir qui fabrique des plaquettes en saphir poli en cristal unique à 99,999% de pureté pour l'épitaxie.Et nos substrats en saphir (Al2O3) présentent une excellente finition de surface, qui est le paramètre clé de la LED.
Si vous cherchez des fournisseurs fiables de plaquettes de saphir, n'hésitez pas à nous contacter.
Les plaquettes de saphir ont une constante diélectrique uniforme et des caractéristiques d'isolation élevées, elles sont donc généralement utilisées pour des applications microélectroniques hybrides.Cette orientation peut également être utilisée pour la croissance de superconducteurs de haute.
Par exemple, TlBaCaCuO (TbBaCaCuO), Tl-2212, le film mince supraconducteur hétéro-épitaxial est cultivé sur un substrat composite d'oxyde de cérium saphir (CeO2).La disponibilité des finitions de surface de niveau Angstrom permet des interconnexions de ligne fine des modules hybrides.
| Nom de l'article | 2 pouces A-plan ((11-20) 430 μm Waffles de saphir | |
| Matériaux cristallins | 99,999%, haute pureté, Al2O3 monocristallin | |
| Grade | Prime, épi-prêt | |
| Orientation de la surface | A-plan ((11 à 20) | |
| Diamètre | 500,8 mm +/- 0,1 mm | |
| Épaisseur | 430 μm +/- 25 μm | |
| L'orientation principale est plate | C-plan ((0001) +/- 0,2° | |
| Longueur plate primaire | 16.0 mm +/- 1,0 mm | |
| Polie à une seule face | Surface avant | Épi-polissé, Ra < 0,5 nm (par AFM) |
| (SSP) | Surface arrière | Rame finement moulée, Ra = 0,8 à 1,2 μm |
| Polissage à double face | Surface avant | Épi-polissé, Ra < 0,5 nm (par AFM) |
| (DSP) | Surface arrière | Épi-polissé, Ra < 0,5 nm (par AFM) |
| TTV | < 10 μm | |
| - Je vous en prie. | < 10 μm | |
| Le WARP | < 10 μm | |
| Nettoyage / Emballage | nettoyage des salles blanches et emballages sous vide de classe 100, | |
| 25 pièces dans un emballage en cassette ou en un seul emballage. | ||
Note: des plaquettes et des substrats en saphir personnalisés de n'importe quelle orientation et épaisseur peuvent être fournis.
| 2 pouces |
DSP C-AXIS 0,1 mm/0,175 mm/0,2 mm/0,3 mm/0,4 mm/0,5 mm/1,0 mm Le point de contact est le point de contact de l'appareil (DSP et SSP) Plaquettes de saphir à plan A (1120)
Plaquette en saphir à plan R (1102) Plaquettes en saphir de plan M (1010)
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| 3 pouces |
L'axe C DSP/SSP est de 0,43 mm/0,5 mm
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| 4 pouces |
Le point de départ est le point de départ de l'appareil Le nombre de points de contact doit être déterminé en tenant compte de la fréquence de l'interrupteur.
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| 6 pouces |
l'axe c-ssp 1,0 mm/1,3 mm
Le point d'intervention doit être situé à l'extrémité supérieure de l'extrémité supérieure de l'extrémité supérieure.
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