SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

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GaN-Sur-saphir libre GaN-Sur-SIC de dispositif de GaN Substrates HVPE GaN Wafers Powder de position

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GaN-Sur-saphir libre GaN-Sur-SIC de dispositif de GaN Substrates HVPE GaN Wafers Powder de position

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Number modèle :GaN-FS-C-U-C50-SSP
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :1pcs
Conditions de paiement :T/T
Capacité d'approvisionnement :50PCS par mois
Délai de livraison :1-5weeks
Détails de empaquetage :caisse simple de gaufrette par l'emballage sous vide
Matériel :Monocristal de GaN
Taille :2 pouces et 4 pouces
Épaisseur :0.4 mm
Le type :Type N/Semi-type si-dopé non dopé
Application du projet :Dispositif à poudre
Surface :SSP
Le paquet :boîte simple de conteneur de gaufrette
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Modèle de substrat GaN de 2 pouces,Waffle GaN pour LED,Waffle de nitrure de gallium semi-conducteur pour ld,Modèle de GaN,Waffle GaN mocvd,Waffle GaN debout libre par taille personnalisée,Waffle GaN de petite taille pour LED,mocvd plaquette de nitrure de gallium 10x10 mm,5x5mm, 10x5mm GaN wafer,substrats GaN non polaires indépendants ((un plan et un plan m)

4 pouces 2 pouces de substrat GaN indépendant HVPE GaN Wafers

 

Caractéristique de la gaine GaN

  1. Il peut être utilisé pour la fabrication de produits chimiques.

Le nitrure de gallium est un type de semi-conducteur composé à large écart.

un substrat monocristallin de haute qualité. Il est fabriqué avec la méthode HVPE originale et la technologie de traitement des plaquettes, qui a été initialement développée depuis plus de 10 ans en Chine.Les caractéristiques sont très cristallines.Les substrats GaN sont utilisés pour de nombreux types d'applications, pour les LED blanches et LD ((violet, bleu et vert).Le développement a progressé pour les applications de dispositifs électroniques de puissance et de haute fréquence.

 

La largeur de bande interdite (émission et absorption de la lumière) couvre la lumière ultraviolette, visible et infrarouge.

 

Application du projet

Le GaN peut être utilisé dans de nombreux domaines tels que l'affichage LED, la détection et l'imagerie à haute énergie,
Affichage de projection laser, appareil de puissance, etc.

  • Affichage de projection laser, dispositif d'alimentation électrique, etc.
  • Éclairage économe en énergie Affichage à couleur
  • Projections laser - Appareils électroniques à haut rendement
  • Appareils à micro-ondes à haute fréquence Détection et imaginer
  • Nouvelle énergie solor technologie de l'hydrogène Environnement Détection et médecine biologique
  • bande terahertz de la source lumineuse

 

Spécification pour les plaquettes GaN indépendantes

Taille 2 " 4 pouces
Diamètre 500,8 mm 士 0,3 mm 1000,0 mm 士 0,3 mm
Épaisseur 400 mm 士 30 mm 450 mm 士 30 mm
Les orientations (0001) Façade Ga-c-plan (standard); (000-1) Façade N (facultatif)
002 XRD courbe de balancement FWHM < 100 secondes d'arc
102 XRD courbe de balancement FWHM < 100 secondes d'arc
Radius de courbure du réseau > 10 m (mesuré à 80% x diamètre)
Détour vers le plan m. 00,5° ± 0,15° vers [10-10] @ centre de la gaufre
Détour vers le plan a orthogonal 00,0° ± 0,15° vers [1-210] @ centre de la plaque
Direction hors route dans le plan La projection vectorielle du plan c pointe vers la plus grande OF
Plan plat d'orientation majeur (10-10) m-plan 2° (norme); ±0,1° (facultatif)
Orientation majeure Longueur plate 16.0 mm ± 1 mm 32.0 mm ± 1 mm
Orientation mineure Orientation plate Ga-face = major OF en bas et mineur OF à gauche
Orientation mineure Longueur plate 8.0 mm ± 1 mm 18.0 mm ± 1 mm
Bébille de bord éclaboussé
TTV (exclusion des bords de 5 mm) > 15 μm > 30 μm
Warp (exclusion des bords de 5 mm) > 20 μm > 80 μm
L'arc (à l'exclusion des bords de 5 mm) -10 à +5 -40 à +20 mm
Roughness du côté avant (Sa) Les résultats de l'analyse doivent être présentés dans le dossier de référence.
Le nombre de fois où les données sont utilisées est supérieur à 0,8 nm.
Finition de la surface arrière polissé (standard); gravé (facultatif)
Roughness du côté arrière (Sa) Polie: < 3 nm (zone WLI: 239 um x 318 um)
une surface de 1 μm ± 0,5 μm (WLI: 239 μm x 318 μm)
Marque au laser Le dos sur le côté majeur
 
Propriétés électriques Le dopage Résistance
Le licon de type N (5) < 0,02 ohm-cm
UID < 0,2 ohm-cm
Pour les produits du noyau > 1E8 ohm-cm
 
Système de classement des fosses Densité (grottes/cm2) 2 " (grottes) 4" (grottes)
Production > 0.5 > 10 > 40
La recherche > 15 > 30 > 120
Espèce de crétin! < 2.5 > 50 > 200

 

GaN-Sur-saphir libre GaN-Sur-SIC de dispositif de GaN Substrates HVPE GaN Wafers Powder de position

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À propos de notre usine OEM

GaN-Sur-saphir libre GaN-Sur-SIC de dispositif de GaN Substrates HVPE GaN Wafers Powder de position

 

Notre vision de l'entreprise Factroy
Nous fournirons des substrats GaN de haute qualité et une technologie d'application pour l'industrie avec notre usine.
Le GaNmatériau de haute qualité est le facteur limitant pour l'application des nitrides III, par exemple une longue durée de vie.
et les LD à haute stabilité, les appareils à micro-ondes à haute puissance et haute fiabilité,
et LED à haut rendement, économes en énergie.

- FAQ
Q: Que pouvez-vous fournir pour la logistique et le coût?
(1) Nous acceptons DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF et autres.
2) Si vous avez votre propre numéro express, c'est génial.
Si ce n'est pas le cas, nous pouvons vous aider à livrer.

Q: Quel est le délai de livraison?
(1) Pour les produits standard tels que les plaquettes de 2 pouces de 0,33 mm.
Pour l'inventaire: la livraison est effectuée 5 jours ouvrables après la commande.
Pour les produits sur mesure: la livraison est de 2 ou 4 semaines ouvrables après commande.

Q: Comment payer?
100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, paiement sécurisé et assurance commerciale.

Q: Quel est le MOQ?
(1) Pour l'inventaire, le MOQ est de 5 pièces.
(2) Pour les produits personnalisés, le MOQ est de 5pcs-10pcs.
Cela dépend de la quantité et de la technique.

Q: Avez-vous un rapport d'inspection pour le matériau?
Nous pouvons fournir des rapports ROHS et atteindre des rapports pour nos produits.

 

 

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