SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SHANGHAI CÉLÈBRE COMMERCE CO., LTD
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2inch 4inch 4" 2" saphir a basé le film de GaN de calibres de GaN sur les fenêtres de GaN de substrats de GaN de gaufrettes de GaN de GaN-Sur-saphir de substrat de saphir
1) À la température ambiante, GaN est insoluble en eau, acide et alcali.
2)Dissous dans une solution alcaline chaude à un taux très lent.
3) Le NaOH, le H2SO4 et le H3PO4 peuvent rapidement corroder la qualité inférieure de GaN, peuvent être employés pour des ces détection de défaut en cristal de GaN de qualité inférieure.
4) GaN dans le HCL ou l'hydrogène, à température élevée présente des caractéristiques instables.
5) GaN est le plus stable sous l'azote.
1) Les propriétés électriques de GaN sont les facteurs les plus importants affectant le dispositif.
2) Le GaN sans le dopage était n dans tous les cas, et la concentration en électron du meilleur échantillon était au sujet de 4* (10^16) /c㎡.
3) Généralement, les échantillons préparés de P sont fortement compensés.
1) Le matériel large de semi-conducteur composé d'espace de bande avec la largeur de bande élevée (2.3~6.2eV), peut couvrir le vert jaune rouge, bleu, violet et le spectre ultraviolet, est jusqu'ici que tous les autres matériaux de semi-conducteur ne peuvent pas réaliser.
2) Principalement utilisé dans le dispositif luminescent bleu et violet.
1) La propriété à haute fréquence, arrivent à 300G hertz. (Le SI est 10G et la GaAs est 80G)
2) Propriété à hautes températures, travail à 300℃, très approprié normaux à environnement aérospatial, militaire et autre à hautes températures.
3) Le de glissement des électrons a la vitesse élevée de saturation, la basse conduction thermique constante et bonne diélectrique.
4) La résistance d'acide et d'alcali, résistance à la corrosion, peut être employée dans l'environnement dur.
5) Caractéristiques à haute tension, résistance à l'impact, fiabilité élevée.
6) Le pouvoir étendu, le matériel de transmission est très désireux.
1) diodes électroluminescentes, LED
2) transistors à effet de champ, FET
3) diodes lasers, LD
| Structure cristalline |
Wurtzite |
| Constante de trellis (Å) | a=3.112, c=4.982 |
| Conduction à bande | Bandgap direct |
| Densité (g/cm3) | 3,23 |
| Microdureté extérieure (essai de Knoop) | 800 |
| Point de fusion (℃) | 2750 (barre 10-100 en N2) |
| Conduction thermique (W/m·K) | 320 |
| Énergie d'espace de bande (eV) | 6,28 |
| Mobilité des électrons (V·s/cm2) | 1100 |
| Champ électrique de panne (MV/cm) | 11,7 |