L'indium InAs ou le mono-arséniure d'indium est un semi-conducteur composé d'indium et d'arsenic. Il a l'aspect d'un cristal cubique gris avec un point de fusion d'arséniure de l'indium 942°C. est employé pour construire les détecteurs infrarouges avec une gamme de longueurs d'onde de 1-3.8um. Le détecteur est habituellement une photodiode photovoltaïque. Les détecteurs de refroidissement cryogéniques ont plus à faible bruit, mais des détecteurs d'InAs peuvent également être employés pour des applications de haute puissance à la température ambiante. L'arséniure d'indium est également employé pour faire des lasers de diode. L'arséniure d'indium est semblable à l'arséniure de gallium et est un matériel direct d'espace de bande. L'arséniure d'indium est parfois employé avec du phosphure d'indium. Alliage avec de l'arséniure de gallium pour former l'arsenic d'indium - un matériel dont l'espace de bande dépend du rapport d'In/Ga. Cette méthode est principalement semblable à la nitrure de alliage d'indium avec de la nitrure de gallium pour produire la nitrure d'indium. L'arséniure d'indium est connu pour sa mobilité des électrons élevée et espace à bande étroite. Il est très utilisé comme source de rayonnement de terahertz parce que c'est un émetteur ambre-clair puissant.

Caractéristiques de gaufrette d'InAs :

* avec la mobilité des électrons et le rapport élevés de mobilité (μe/μh=70), c'est un matériel idéal pour des dispositifs de hall.

* le MBE peut être développé avec les matériaux multi-épitaxiaux de GaAsSb, d'InAsPSb, et d'InAsSb.

* la méthode de scellage liquide (CZ), s'assurent que la pureté du matériel peut atteindre 99,9999% (6N).

* tous les substrats sont avec précision polis et remplis d'atmosphère protectrice pour répondre aux exigences d'Epi-prêt.

* sélection en cristal de direction : Une autre direction en cristal est disponible, par exemple (110).

* les techniques de mesure optiques, telles qu'ellipsometry, assurent une surface propre sur chaque substrat.

InAs Wafer Specifications
Tranches de diamètre	2"	3"
Orientation	(100) +/-0.1°	(100) +/- 0.1°
Diamètre (millimètres)	50,5 +/- 0,5	76,2 +/- 0,4
Option plate	EJ	EJ
Tolérance plate	+/- 0.1°	+/- 0.1°
Major Flat Length (millimètres)	16 +/- 2	22 +/- 2
Longueur plate mineure (millimètres)	8 +/- 1	11 +/- 1
Épaisseur (um)	500 +/- 25	625 +/- 25

Caractéristiques électriques et de dopant
Dopant	Type	Transporteur Concentration cm-3	Mobilité cm^2•V^-1•s^-1
Non dopé	de type n	(1-3) *10^16	>23000
À faible teneur en soufre	de type n	(4-8) *10^16	25000-15000
Hautement sulfureux	de type n	(1-3) *10^18	12000-7000
Bas zinc	de type p	(1-3) *10^17	350-200
Haut zinc	de type p	(1-3) *10^18	250-100
E.P.D. cm^-2	2" <>3" <>

Caractéristiques de planéité
Forme de gaufrette		2"	3"
Polonais/gravé à l'eau-forte	TTV (um)	<12>	<15>
	Cintrez (um)	<12>	<15>
	Déformez (um)	<12>	<15>
Polonais/polonais	TTV (um)	<12>	<15>
	Cintrez (um)	<12>	<15>
	Déformez (um)	<12>	<15>

---FAQ –

Q : Est-vous une société commerciale ou le fabricant ?

: le zmkj est une société commerciale mais a un fabricant de saphir
en tant que fournisseur des gaufrettes de matériaux de semi-conducteur pour une grande envergure des applications.

Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?

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en stock, il est selon la quantité.

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