Généralement, l'épaisseur de la couche d'oxyde des plaquettes de silicium est principalement concentrée en dessous de 3 µm, et les pays et régions capables de produire de manière stable des plaquettes de silicium à couche d'oxyde épaisse de haute qualité (au-dessus de 3 µm) sont toujours dominés par les États-Unis, le Japon, la Corée du Sud et Taiwan. , Chine.Ce projet vise à dépasser l'efficacité filmogène, la limite d'épaisseur du film et la qualité filmogène du film d'oxyde (SiO) dans le cadre du processus actuel de croissance de la couche d'oxyde, et à produire un maximum de 25 µm (+ 5 %) de plaquette de silicium à couche d'oxyde ultra-épaisse. avec une haute qualité et une efficacité élevée dans un délai relativement court.Uniformité dans le plan et inter-plan +0,5%, indice de réfraction de 1550nm 1,4458+0,0001.Contribuez à la localisation de la 5G et de la communication optique.

Les raisons deUn jour, la communication optique remplacera la communication filaire et micro-ondes et deviendra le courant dominant de la communication.

Les dispositifs de communication optique constituent la base de la construction de systèmes et de réseaux de communication optique
Le dispositif optique passif est un élément important des équipements de communication par fibre optique, et c'est également un composant indispensable d'autres applications de fibre optique.
Le dispositif optique passif réalise respectivement les fonctions de connexion, d'atténuation d'énergie, de shunt ou de shunt d'isolation inverse, de modulation de signal et de filtrage dans le chemin optique.
Parmi eux, le répartiteur (Splitter), le coupleur en étoile (coupleur en étoile), le commutateur optique (commutateur optique), le multiplexeur par répartition en longueur d'onde (WDM), le réseau de guides d'ondes matriciels (AWG), etc., sont tous des dispositifs optiques passifs basés sur la technologie de guide d'ondes optique planaire. solutions.
Pour les guides d'ondes optiques, la silice (Sio), dotée de bonnes propriétés optiques, électromécaniques et d'une bonne stabilité thermique, est considérée comme l'approche technique la plus pratique et la plus prometteuse pour l'intégration optique passive.

L'application de l'oxyde thermique (SiO2) sur des plaquettes de silicium

Dans le contexte du développement rapide de la 5G et de la communication optique, ainsi que des besoins croissants des gens en matière de transmission et d'échange d'informations, la recherche d'un haut débit et d'un faible délai est sans fin.
En tant qu'excellent support du chemin optique, le dioxyde de silicium (SiO2) a également mis en avant des exigences plus élevées et plus exigeantes en matière d'épaisseur et de pureté, et la couche d'oxyde de silicium est un matériau indispensable pour prendre en charge les dispositifs optiques de communication optique.
Les pays et régions capables de produire une couche d'oxyde épaisse (supérieure à 3 µm) avec une qualité et une stabilité élevées sont encore principalement les États-Unis, le Japon, la Corée du Sud et Taiwan, Chine.

Méthode de production

Les plaquettes de silicium forment des couches de silice à travers les tubes du four en présence d'agents oxydants à des températures élevées, un processus connu sous le nom d'oxydation thermique.La plage de température est contrôlée de 900 à 1 250 ℃ ;Le rapport du gaz oxydant H2:O2 est compris entre 1,5:1 et 3:1.Selon la taille de la plaquette de silicium, il y aura différentes pertes de débit sans épaisseur d'oxydation. La plaquette de silicium du substrat est en silicium monocristallin de 6 "ou 8" avec une épaisseur de couche d'oxyde de 0,1 μm à 25 μm.

Spécification standard

Articles	spécification
Épaisseur de couche	20um à 5%
Uniformité (au sein d'une plaquette)	0,5 %
Uniformité (entre les plaquettes)	0,5 %
Indice de réfraction (@1550 nm)	1,4458+0,0001
Particule	≤50Moyenne mesurée <10