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ZMSH est devenu le principal fabricant et fournisseur de plaquettes de substrat SiC (carbure de silicium).Pour les clients à la recherche d'un excellent rapport qualité-prix, ZMSH propose le meilleur prix actuel du marché pour les plaquettes de substrat SiC de qualité recherche de 2 pouces et 3 pouces.
Les plaquettes de substrat SiC ont diverses applications dans la conception de dispositifs électroniques, en particulier pour les produits impliquant une puissance et une fréquence élevées.
De plus, la technologie LED est une grande consommatrice de plaquettes de substrat SiC.LED signifie Light Emitting Diode, qui est un type de semi-conducteur qui combine des électrons et des trous pour créer une source de lumière froide économe en énergie.
Le monocristal de carbure de silicium (SiC) possède de nombreuses propriétés exceptionnelles, telles qu'une excellente conductivité thermique, une mobilité électronique à saturation élevée et une résistance au claquage haute tension.Ces propriétés en font le matériau idéal pour préparer des appareils électroniques haute fréquence, haute puissance, haute température et résistant aux radiations.
De plus, le monocristal SiC possède une excellente conductivité thermique et de fortes propriétés de claquage en tension.Il peut facilement résister à des températures et à des niveaux de rayonnement élevés sans se détériorer, ce qui en fait le choix idéal pour les appareils électroniques haut de gamme.
De plus, la mobilité électronique élevée du monocristal SiC offre une plus grande efficacité par rapport aux autres matériaux, lui permettant de travailler plus longtemps avec moins d'interruptions.C’est donc le matériau idéal pour créer une électronique fiable et performante.
Nom du produit : substrat en carbure de silicium, plaquette en carbure de silicium, plaquette SiC, substrat SiC
Méthode de croissance : MOCVD
Structure cristalline : 6H, 4H, 6H(a=3,073 Å c=15,117 Å), 4H(a=3,076 Å c=10,053 Å )
Séquence d'empilement : 6H : ABCACB, 4H : ABCB
Qualité : qualité production, qualité recherche, qualité factice
Type de conductivité : type N ou semi-isolant
Bande interdite : 3,23 eV
Dureté : 9,2 (mohs)
Conductivité thermique à 300 K : 3,2 ~ 4,9 W/cm.K
Constantes diélectriques : e(11)=e(22)=9,66 e(33)=10,33
Résistivité : 4H-SiC-N : 0,015~0,028 Ω·cm, 6H-SiC-N : 0,02~0,1 Ω·cm, 4H/6H-SiC-SI : >1E7 Ω·cm
Emballage : Sac propre classe 100, en salle blanche classe 1000.
La plaquette de carbure de silicium (plaquette SiC) est une option idéale pour l'électronique automobile, les dispositifs optoélectroniques et les applications industrielles.Ces plaquettes comprennent à la fois des substrats SiC de type 4H-N et des substrats SiC semi-isolants, qui sont tous deux des composants clés de divers dispositifs.
Les substrats SiC de type 4H-N offrent des propriétés supérieures telles qu'une large bande interdite, qui permet une commutation très efficace en électronique de puissance.De plus, ils sont très résistants à l’usure mécanique et à l’oxydation chimique, ce qui les rend idéaux pour les dispositifs à haute température et à faibles pertes.
Les substrats SiC semi-isolants offrent également d'excellentes propriétés, telles qu'une stabilité et une résistance thermique élevées.Leur capacité à rester stables dans les dispositifs haute puissance les rend idéaux pour diverses applications optoélectroniques.En outre, ils peuvent également être utilisés comme plaquettes liées, qui constituent des composants importants dans les dispositifs microélectroniques hautes performances.
Ces caractéristiques des plaquettes SiC les rendent adaptées à diverses applications, notamment dans les secteurs automobile, optoélectronique et industriel.Les plaquettes SiC constituent un élément essentiel de la technologie actuelle et continuent de devenir de plus en plus populaires dans diverses industries.
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Les plaquettes de carbure de silicium sont fragiles et nécessitent une manipulation et une protection spéciales lors du transport.Les procédures suivantes doivent être suivies pour garantir une livraison en toute sécurité au client.