La gaufre de carbure de silicium est principalement utilisée dans la production de diodes Schottky, de transistors à effet de champ à semi-conducteurs d'oxyde de métal, de transistors à effet de champ de jonction, de transistors à jonction bipolaire,thyristorsLa gaufre en carbure de silicium présente une résistivité élevée/faible, ce qui garantit les performances dont vous avez besoin.quelles que soient les exigences de votre demandeQue vous travailliez avec de l'électronique de haute puissance ou des capteurs de faible puissance, notre wafer est à la hauteur de la tâche.Donc si vous cherchez une gaufre en carbure de silicium de haute qualité qui offre des performances et une fiabilité exceptionnellesNous vous garantissons que vous ne serez pas déçu par sa qualité ou ses performances.

Grade		Zéro MPDGrade	Grade de production	Grade de factice
Diamètre		100.0 mm +/- 0,5 mm
Épaisseur	4H-N	350 mm +/- 20 mm	350 mm +/- 25 mm
	4H-SI	500 mm +/- 20 mm	500 mm +/- 25 mm
Orientation de la gaufre		Sur l'axe: <0001> +/- 0,5 degré pour le 4H-SI
		En dehors de l'axe: 4,0 degrés vers <11-20> +/-0,5 degrés pour 4H-N
Résistance électrique	4H-N	0.015 à 0.025		0.015 à 0.028
(Ohm-cm)	4H-SI	> 1E9		> 1E5
L'orientation principale est plate		{10-10} +/- 5,0 degrés
Longueur plate primaire		32.5 mm +/- 2,0 mm
Longueur plate secondaire		18.0 mm +/- 2,0 mm
Orientation à plat secondaire		Silicium face vers le haut: 90 degrés CW depuis le plateau primaire +/- 5,0 degrés
Exclusion des bords		3 mm
LTV/TTV/Bow/Warp		Pour les appareils à commande numérique		10um /15um /25um /40um
Roughness de la surface		Le polonais Ra < 1 nm sur la face C
		CMP Ra < 0,2 nm		Ra < 0,5 nm
Les fissures inspectées par la lumière à haute intensité		Aucune	Aucune	1 permis, 2 mm
Plaques hexagonales inspectées par une lumière à haute intensité		Surface cumulée ≤ 0,05%		Surface cumulée ≤ 0,1%
Zones de polytypes inspectées par lumière à haute intensité		Aucune	Aucune	Surface cumulée ≤ 3%
Des rayures inspectées par une lumière de haute intensité		Aucune	Aucune	Longueur cumulée≤1x diamètre de la gaufre
Déchiquetage des bords		Aucune	Aucune	5 permis, ≤ 1 mm chacune
Contamination de surface vérifiée par la lumière de haute intensité		Aucune

4H N Type Semi Type SiC Wafer 4 pouces DSP Production Recherche personnalisation de qualité factice

Le personnage:

1- Stabilité à haute température: les plaquettes de carbure de silicium présentent une conductivité thermique extrêmement élevée et une inerté chimique,leur permettant de maintenir leur stabilité dans des environnements à haute température sans subir facilement d'expansion thermique et de déformation.
2Haute résistance mécanique: les plaquettes en carbure de silicium ont une rigidité et une dureté élevées, ce qui leur permet de résister à des contraintes élevées et à de lourdes charges.
3Excellentes propriétés électriques: les plaquettes en carbure de silicium ont des propriétés électriques supérieures à celles des matériaux en silicium, avec une conductivité électrique élevée et une mobilité électronique.
4- Excellente performance optique: les plaquettes en carbure de silicium possèdent une bonne transparence et une forte résistance aux rayonnements.

Croissance en cristal unique de carbure de silicium:

Les défis dans la croissance du cristal unique du SiC:Le SiC existe dans plus de 220 structures cristallines, les plus courantes étant le 3C (cube), le 2H, le 4H et le 6H (hexagonal) et le 15R (rhomboédrique).Le SiC n'a pas de point de fusion,Il sublime au-dessus de 1800 °C, se décomposant en Si gazeux, Si2C, SiC et en C solide (le composant principal).Le mécanisme de croissance impliquant des spirales bicouches silicium-carbone conduit à la formation de défauts cristallins pendant le processus de croissance.

1: Méthode de transport physique des vapeurs (PVT):

Dans la croissance PVT du SiC, la poudre de SiC est placée au fond d'un four et chauffée.En raison de la température plus élevée au fond et de la température plus basse au sommet du creuset, la vapeur se condense et se développe dans la direction du cristal de graine, formant finalement des cristaux de SiC.

Avantages: L'équipement PVT est actuellement la méthode dominante pour la culture de cristaux de SiC en raison de sa structure et de son fonctionnement faciles.il est relativement difficile d'obtenir une expansion du diamètre dans la croissance des cristaux de SiCPar exemple, si vous avez un cristal de 4 pouces et que vous voulez l'élargir à 6 ou 8 pouces, cela nécessiterait une période significativement longue.Les avantages du dopage des cristaux de SiC ne sont pas très prononcés avec cette méthode.

2: Méthode de solution à haute température:

Cette méthode repose sur un solvant pour dissoudre l'élément carbone.le solvant utilisé est le matériau métallique chrome (Cr)Bien que les métaux soient solides à température ambiante, ils fondent en liquide à haute température, devenant ainsi une solution.où Cr agit comme une navette, transportant l'élément carbone du fond du four vers le haut, où il refroidit et cristallise pour former des cristaux.

L' avantage:Les avantages de la culture du SiC à l'aide de la méthode de solution à haute température comprennent une faible densité de dislocation, qui a été un problème clé limitant les performances des dispositifs SiC;facilité d'obtention de l'expansion du diamètre; et l'obtention de cristaux de type p.Les personnes défavorisées:Cependant, cette méthode présente également certains inconvénients, tels que la sublimation du solvant à haute température, le contrôle de la concentration des impuretés pendant la croissance du cristal, l'encapsulation du solvant,et formation de cristaux flottants.

3: Méthode de dépôt de vapeur chimique à haute température (HTCVD):

Cette méthode diffère sensiblement des deux méthodes précédentes en ce que la matière première pour le SiC change.HTCVD utilise des gaz organiques contenant des éléments C et Si comme matière première SiCEn HTCVD, les gaz sont introduits dans le four par un pipeline, où ils réagissent et forment des cristaux de SiC.En raison de la complexité et du coût élevé de ce processus, ce n'est pas la technologie courante pour la culture de cristaux de SiC actuellement.

Applications:

1. Invertisseurs, convertisseurs CC-DC et chargeurs embarqués pour véhicules électriques: ces applications nécessitent un grand nombre de modules de puissance.les dispositifs en carbure de silicium permettent une augmentation significative de l'autonomie et une réduction du temps de charge des véhicules électriques.
2Les dispositifs de puissance au carbure de silicium pour les applications d'énergie renouvelable: Les dispositifs de puissance au carbure de silicium utilisés dans les onduleurs pour les applications d'énergie solaire et éolienne améliorent l'utilisation de l'énergie.fournir des solutions plus efficaces pour atteindre un pic de carbone et la neutralité carbone.
3. Applications à haute tension comme les systèmes ferroviaires à grande vitesse, les systèmes de métro et les réseaux électriques: les systèmes dans ces domaines exigent une tolérance à haute tension, une sécurité et une efficacité opérationnelle.Les dispositifs de puissance basés sur l'épitaxie du carbure de silicium sont le choix optimal pour les applications susmentionnées.
4• Dispositifs RF de haute puissance pour la communication 5G: Ces dispositifs pour le secteur de la communication 5G nécessitent des substrats à haute conductivité thermique et propriétés d'isolation.Cela facilite la réalisation de structures épitaxiales GaN supérieures.

FAQ:

Q: Quelle est la différence entre le 4H-SiC et le SiC?
R: Le carbure de silicium 4H (4H-SiC) se distingue comme un polytype supérieur de SiC en raison de son large espace de bande, de son excellente stabilité thermique et de ses remarquables caractéristiques électriques et mécaniques.

Q: Quand le SiC doit- il être utilisé?
R: Si vous voulez citer quelqu'un ou quelque chose dans votre travail, et que vous remarquez que le matériel source contient une erreur orthographique ou grammaticale,Vous utilisez sic pour désigner l'erreur en le plaçant juste après l'erreur.

Q: Pourquoi 4H SiC?
R: Le 4H-SiC est préférable au 6H-SiC pour la plupart des applications électroniques car il a une mobilité électronique plus élevée et plus isotrope que le 6H-SiC.

Recommandation du produit:

1.2 pouces Sic Substrate 6H-N type

2.Des plaquettes de carbure de silicium de 8 pouces

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