produits Fournisseurs Sign in Register

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

SHANGHAI CÉLÈBRE COMMERCE CO., LTD

Manufacturer from China
Fournisseur Vérifié
8 Ans
Accueil le catalogue des produits Profil de la société Contrôle de qualité Contactez nous Demander un devis
Français
Accueil / produits / Semiconductor Substrate / Substrate GaN-sur-Si Epitaxy Si 110 111 110 de 8 pouces pour les réacteurs MOCVD ou les applications d'énergie RF /

show pictures

Catégories de produits

Sacs personnalisés

 [1]

substrat de saphir

 [94]

Saphir Windows optique

 [99]

Gaufrette de carbure de silicium

 [124]

Sapphire Tube

 [72]

Substrat de semi-conducteur

 [105]

t8 tube a mené la lumière

 [1]

Gem Stone synthétique

 [78]

Parties en céramique

 [18]

équipement de laboratoire scientifique

 [58]

Boîtier de montre de cristal de saphir

 [22]

Boîte de transporteur de gaufrette

 [16]

Substrat monocristallin mince supraconducteur

 [13]

Gaufrette de nitrure de gallium

 [24]
Contacter
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Visitez le site Web
Ville:shanghai
Province / État:shanghai
Pays / Région:china
Contact:MrWang
Coordonnées du contact
Contacter

Substrate GaN-sur-Si Epitaxy Si 110 111 110 de 8 pouces pour les réacteurs MOCVD ou les applications d'énergie RF
Substrate GaN-sur-Si Epitaxy Si 110 111 110 de 8 pouces pour les réacteurs MOCVD ou les applications d'énergie RF
  • Substrate GaN-sur-Si Epitaxy Si 110 111 110 de 8 pouces pour les réacteurs MOCVD ou les applications d'énergie RF
  • Substrate GaN-sur-Si Epitaxy Si 110 111 110 de 8 pouces pour les réacteurs MOCVD ou les applications d'énergie RF
  • Substrate GaN-sur-Si Epitaxy Si 110 111 110 de 8 pouces pour les réacteurs MOCVD ou les applications d'énergie RF
  • Substrate GaN-sur-Si Epitaxy Si 110 111 110 de 8 pouces pour les réacteurs MOCVD ou les applications d'énergie RF
  • Substrate GaN-sur-Si Epitaxy Si 110 111 110 de 8 pouces pour les réacteurs MOCVD ou les applications d'énergie RF
  • Substrate GaN-sur-Si Epitaxy Si 110 111 110 de 8 pouces pour les réacteurs MOCVD ou les applications d'énergie RF
produits détaillés
8 pouces GaN-sur-Si Epitaxy si substrat ((110 111 110) pour les réacteurs MOCVD ou l'application de l'énergie RF 8 pouces de GaN sur Si Epitaxy résumé ...
voir produits détaillés →

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4