SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
LE COMMERCE CÉLÈBRE CIE., LTD DE CHANGHAÏ
Add to Cart
Wafer InP 2 pouces 3 pouces 4 pouces VGF P type N type Depant Zn S Fe Non dopé Prime Grade Testing Grade
Les plaquettes à phosphure d'indium (InP wafers) sont préparées à partir de phosphure d'indium qui est un semi-conducteur binaire.Wafer InPIl offre une vitesse d'électron supérieure à celle de la plupart des autres semi-conducteurs populaires tels que le silicium.autres appareils de fabrication électriqueLes diodes de résonance de tunneling sont les plus utilisées.Waffles à base de Pest utilisé dans les appareils électroniques à haute fréquence et à haute puissance.Wafer InPIl est également largement utilisé dans la communication par fibre optique à grande vitesse, car le phosphure d'indium émet et détecte des longueurs d'onde supérieures à 1000 nm.Wafer InPIl est également utilisé comme substrat pour les lasers et les photodiodes dans les applications Datacom et Telecom.Wafer InPLe marché va toucher le sommet.Waffles à base de Pseront les plus recherchées dans les connexions à fibre optique, les réseaux d'accès aux réseaux de métro, les réseaux d'entreprise, les centres de données, etc. Nous offrons une pureté de 99,99%.Wafer InPC'est la façon la plus efficace.
Le caractère de la gaufre InP:
1InP a une bande passante étroite d'environ 1,35 eV à température ambiante, ce qui le rend approprié pour des applications dans l'optoélectronique telles que les photodétecteurs, les lasers et les cellules solaires.
2- Mobilité électronique élevée: l'InP a une mobilité électronique élevée par rapport aux autres matériaux semi-conducteurs,qui est bénéfique pour les appareils électroniques à haute vitesse tels que les transistors à haute fréquence et les circuits intégrés.
3. Haute conductivité thermique: InP a une conductivité thermique relativement élevée, ce qui permet une dissipation de chaleur efficace dans les appareils électroniques de haute puissance.
4Propriétés optiques: Les plaquettes InP possèdent d'excellentes propriétés optiques, y compris une transparence élevée dans la région infrarouge, ce qui les rend idéales pour les applications de communication optique et de détection.
5Propriétés de faible bruit: InP présente des caractéristiques de faible bruit, ce qui le rend approprié pour les amplificateurs et récepteurs à faible bruit dans les systèmes de communication.
6- Stabilité chimique: l'InP est chimiquement stable, ce qui contribue à sa fiabilité dans divers environnements.
7. Réseau assorti à InGaAs: InP est assorti à un réseau avec de l'arsenure d'indium gallium (InGaAs), ce qui permet la croissance d'hétérostructures de haute qualité pour les appareils optoélectroniques.
8Voltage de rupture élevé: Les plaquettes InP ont une tension de rupture élevée, ce qui les rend appropriées pour des applications de haute puissance et haute fréquence.
9Vitesse de saturation élevée des électrons: InP présente une vitesse de saturation élevée des électrons, ce qui est bénéfique pour les appareils électroniques à grande vitesse.
10Dopage: les plaquettes InP peuvent être dopées pour créer des régions de type n et de type p, permettant la fabrication de divers types de dispositifs électroniques et optoélectroniques.
La forme de la galette InP:
| Matériel | Résultats de l'enquête |
|---|---|
| Méthode de croissance | LEC,VCZ/P-LEC, VGF, VB |
| Réseau (A) | A est égal à 5.869 |
| La structure | M3 |
| Point de fusion | 1600°C |
| Densité ((g/cm3) | 40,79 g/cm3 |
| Matériau dopé |
Non dopé S-dopé Zn-dopé Fe-dopé
|
| Le type |
N N P N
|
| Concentration du transporteur (cm-3) |
(0,4 à 2) x 1016 (0,8 à 3) x 1018 (4 à 6) x 1018
(0,6-2) x 1018
|
| Mobilité (cm2v-1s-1) |
Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction du nombre d'heures de travail
|
| DPE (moyenne) |
3 x 104. cm2 2 x 103/cm2. 2 x 104/cm2. 3 x 104/cm2
|
La photo physique de InP Wafer:
Application de la plaque InP:
1- La photonique.
Lasers et détecteurs: avec son espace de bande étroit (~ 1,35 électronvolt), InP convient à des appareils tels que les lasers et les détecteurs dans les applications de photonics.
Communication optique: les plaquettes InP jouent un rôle crucial dans les systèmes de communication optique, utilisés dans des composants tels que les lasers et les modulateurs pour les fibres optiques.
2. Dispositifs à semi-conducteurs:
Transistors à grande vitesse: La grande mobilité électronique de l'InP en fait un matériau idéal pour la fabrication de transistors à grande vitesse.
Cellules solaires: les plaquettes InP présentent de bonnes performances dans les cellules solaires, ce qui permet une conversion photovoltaïque efficace.
3- Appareils à micro-ondes et à RF:
Circuits intégrés micro-ondes (MIC): les plaquettes InP sont utilisées dans la fabrication de circuits intégrés micro-ondes et RF, fournissant une réponse et des performances à haute fréquence.
Amplificateurs à faible bruit: les plaquettes InP trouvent des applications importantes dans les amplificateurs à faible bruit dans les systèmes de communication.
4. Appareils photovoltaïques:
Cellules photovoltaïques: Les plaquettes InP sont utilisées dans la fabrication de cellules photovoltaïques à haut rendement pour les systèmes d'énergie solaire.
5Technologie des capteurs:
Capteurs optiques: les plaquettes InP présentent un potentiel dans les applications de capteurs optiques, utilisées dans diverses technologies de capteurs et systèmes d'imagerie.
6. Circuits intégrés:
Circuits intégrés optoélectroniques: les plaquettes InP sont utilisées dans la fabrication de circuits intégrés optoélectroniques pour des applications dans la communication optique et la détection.
7. Dispositifs optiques:
Amplificateurs à fibre optique: Les plaquettes InP jouent un rôle essentiel dans les amplificateurs à fibre optique pour l'amplification et la transmission du signal dans les communications à fibre optique.
Les photos d'application de la plaque InP:
Voici quelques aspects de la personnalisation des plaquettes InP:
1Taille de la gaufre: Les gaufres InP peuvent être personnalisées en termes de diamètre (2 pouces, 3 pouces, 4 pouces) et d'épaisseur pour répondre aux besoins spécifiques de l'application.
2Orientation: l'orientation de la plaque ((100), (111) A, (111) B) peut être spécifiée en fonction de l'orientation cristalline souhaitée pour l'application prévue.
3Profil de dopage: des profils de dopage personnalisés peuvent être créés en contrôlant la concentration et la répartition des dopants (silicium,soufre) pour obtenir les propriétés électriques spécifiques requises pour la fabrication du dispositif.
4Qualité de surface: la qualité de surface de la plaque peut être personnalisée pour répondre aux spécifications de rugosité requises, assurant ainsi une performance optimale dans des applications telles que l'optoélectronique et la photonique..
5. Couches épitaxiales: les plaquettes InP peuvent être personnalisées avec des couches épitaxiales d'autres matériaux tels que InGaAs, InAlGaAs ou InGaAsP pour créer des hétérostructures pour des appareils spécialisés tels que les lasers,détecteurs de lumière, et les transistors à grande vitesse.
6- revêtements spécialisés: les plaquettes InP peuvent être revêtues de matériaux ou de films spécifiques pour améliorer leurs performances dans des applications particulières, telles que les revêtements anti-réflexion pour les appareils optiques.
1.Q: Qu'est-ce qu'un semi-conducteur InP?
R: Le phosphure d'indium (InP) fait référence à un semi-conducteur binaire composé d'indium (In) et de phosphore (P).InP est classé dans un groupe de matériaux qui appartiennent aux semi-conducteurs III-V.
2Q: Quelle est l'utilisation du phosphure d'indium?
R: Les substrats de phosphure d'indium sont principalement utilisés pour la croissance de structures contenant des alliages ternaires (InGaAs) et quaternaires (InGaAsP), utilisés pour la fabrication de longue longueur d'onde (1.3 et 1.4).Laser à diodes de 55 μm, LED et photodétecteurs.
3.Q: Quels sont les avantages de l'InP?
R: Mobilité électronique élevée: InP présente une mobilité électronique près de dix fois supérieure à celle du silicium, ce qui le rend parfait pour les transistors et les amplificateurs à grande vitesse dans les systèmes de télécommunications et de radar.