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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

LE COMMERCE CÉLÈBRE CIE., LTD DE CHANGHAÏ

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Accueil / produits / Silicon Carbide Wafer / Épaisseur de la galette de graines de 4H SiC 600±50μm <1120> Personnalisation Croissance du carbure de silicium /

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Épaisseur de la galette de graines de 4H SiC 600±50μm <1120> Personnalisation Croissance du carbure de silicium
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