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Wafer SiC de 12 pouces Wafer au carbure de silicium de 300 mm Substrate 750 ± 25um 4H-N Type d'orientation 100 Grade de recherche de production

Wafer SiC de 12 pouces Wafer au carbure de silicium de 300 mm Substrate 750 ± 25um 4H-N Type d'orientation 100 Grade de recherche de production
  • Wafer SiC de 12 pouces Wafer au carbure de silicium de 300 mm Substrate 750 ± 25um 4H-N Type d'orientation 100 Grade de recherche de production
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