SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
LE COMMERCE CÉLÈBRE CIE., LTD DE CHANGHAÏ
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Méthode de résistance du four de croissance monocristallin au carbure de silicium 6 8 12 pouces four de croissance de lingots SiC
ZMSH est fière de présenter son four de croissance à cristal unique SiC, une solution avancée conçue pour la fabrication de plaquettes SiC haute performance.Notre four produit efficacement des cristaux simples de SiC en 6 pouces, de 8 pouces et de 12 pouces, répondant aux besoins croissants des industries telles que les véhicules électriques (VE), les énergies renouvelables et l'électronique haute puissance.
| Spécification | Détails |
|---|---|
| Les dimensions (L × P × H) | 2500 × 2400 × 3456 mm ou personnaliser |
| Diamètre du creuset | 900 mm |
| Pression au vide ultime | 6 × 10−4 Pa (après 1,5 h de vide) |
| Taux de fuite | ≤ 5 Pa/12h (pâte à pâte) |
| Diamètre de l'arbre de rotation | 50 mm |
| Vitesse de rotation | 0.5 ∙5 tours par minute |
| Méthode de chauffage | Chauffage par résistance électrique |
| Température maximale du four | 2500°C |
| Puissance de chauffage | 40 kW × 2 × 20 kW |
| Mesure de la température | Pyromètre infrarouge à double couleur |
| Plage de température | 900 ∼ 3000°C |
| Précision de la température | ± 1°C |
| Plage de pression | 1 ‰ 700 mbar |
| Précision du contrôle de la pression | 1 ‰ 10 mbar: ± 0,5% F.S; 10 à 100 mbar: ± 0,5% F.S. Pour les véhicules à moteur à commande autonome, la valeur de l'indicateur de freinage doit être supérieure à: |
| Type d'opération | Chargement vers le bas, options de sécurité manuelle/automatique |
| Caractéristiques facultatives | Mesure à double température, zones de chauffage multiples |
La force de base de notre four de croissance en SiC monocristallin réside dans sa capacité à produire constamment des cristaux de SiC de haute qualité, sans défaut.gestion avancée du videCette perfection est cruciale pour les applications de semi-conducteurs.où même de légères imperfections peuvent avoir une incidence significative sur les performances du dispositif final.
Les plaquettes SiC produites dans notre fourneau dépassent les normes de l'industrie en termes de performances et de fiabilité.et haute conductivité électriqueCes qualités sont essentielles pour les appareils de puissance de nouvelle génération, y compris ceux utilisés dans les véhicules électriques (VE),systèmes d'énergie renouvelable, et les équipements de télécommunication.
| Catégorie de contrôle | Paramètres de qualité | Critères d'acceptation | Méthode de contrôle |
|---|---|---|---|
| 1. Structure cristalline | Densité de dislocation | ≤ 1 cm2 | Microscopie optique / diffraction par rayons X |
| La perfection cristalline | Aucun défaut ou fissure visible | Inspection visuelle / AFM (microscopie de la force atomique) | |
| 2. Dimensions | Diamètre du lingot | 6 pouces, 8 pouces ou 12 pouces ± 0,5 mm | Mesure de l'étrier |
| Longueur du lingot | ± 1 mm | Réglateur / Mesure au laser | |
| 3Qualité de surface | Roughness de la surface | Ra ≤ 0,5 μm | Profilomètre de surface |
| Les défauts de surface | Aucune fissure, point ou rayure. | Inspection visuelle / examen au microscope | |
| 4Propriétés électriques | Résistance | ≥ 103 Ω·cm (typique pour le SiC de haute qualité) | Mesure de l'effet Hall |
| Mobilité des transporteurs | > 100 cm2/V·s (pour le SiC à haute performance) | Mesure du temps de vol (TOF) | |
| 5Propriétés thermiques | Conductivité thermique | ≥ 4,9 W/cm·K | Analyses par éclair laser |
| 6Composition chimique | Contenu en carbone | ≤ 1% (pour des performances optimales) | Spéctroscopie de l'émission optique par plasma couplé par induction |
| Impuretés de l'oxygène | ≤ 0,5% | Spéctrométrie de masse ionique secondaire (SIMS) | |
| 7Résistance à la pression | Résistance mécanique | Il doit résister aux tests de contrainte sans fracture. | Épreuve de compression / épreuve de flexion |
| 8. Uniformité | Uniformité de cristallisation | Variation de ≤ 5% à travers le lingot | Mapping aux rayons X / SEM (microscopie électronique par balayage) |
| 9. Homogénéité des lingots | Densité des micropores | ≤ 1% par unité de volume | Microscopie / balayage optique |
Q: Quelle est la croissance cristalline du carbure de silicium?
R: La croissance des cristaux de carbure de silicium (SiC) implique la création de cristaux de SiC de haute qualité par des processus tels que Czochralski ou le transport de vapeur physique (PVT), essentiels pour les appareils à semi-conducteurs de puissance.
Un four de croissance à cristal unique SiC Cristaux de SiCDispositifs à semi-conducteursTechnologie de croissance des cristaux