Le four de production de boules de SiC PVT HTCVD et les technologies LPE pour la production de boules de SiC à cristal unique

Le four de production de boules de SiC est équipé de PVT, de HTCVD et de technologies LPE pour la production de boules de SiC monocristallines.

Résumé du four de croissance SiC Boule

La ZMSH est fière de vous proposerLe four de croissance de SiC Boule, une solution avancée conçue pour la production deBoules SiC à cristal unique. Utilisation de technologies de pointe telles quePVT (transport physique par vapeur),HTCVD (dépôt de vapeur chimique à haute température), etLPE (épitaxie en phase liquide), notreLe four de croissance de SiC Bouleest optimisé pour la croissance stable et efficace de produits de haute puretéBoules de siliciumCe fourneau soutient la production6 pouces,8 pouces, et taille personnaliséeBoules de silicium, répondant aux exigences strictes de l'électronique de puissance, des véhicules électriques et des systèmes d'énergie renouvelable.

Propriétés du four de croissance SiC Boule

• Compatibilité entre plusieurs technologiesLeLe four de croissance de SiC Boulesupporte les processus PVT, HTCVD et LPE, offrant une flexibilité pour différentes méthodes de croissance des cristaux de SiC.
• Contrôle précis de la température: la résistance avancée ou le chauffage par induction assure une répartition uniforme de la température, avec une précision de contrôle de ±1°C, essentielle pour une étanchéité sans défautSiC Boulela croissance.
• Contrôle du vide et de la pression: Les systèmes de vide et de pression intégrés de haute précision maintiennent des conditions de croissance optimales, améliorant ainsi la qualité de l'eau et la qualité de l'eau.SiC Boulequalité et rendement.
• Support de taille de cristal: Capable de se développerBoules SiC de 6 et 8 pouces, avec une personnalisation disponible pour des tailles plus grandes.
• Haute efficacité et sécuritéLeLe four de croissance de SiC Bouleest conçu pour une efficacité énergétique, une facilité d'utilisation et une sécurité, avec des caractéristiques telles que le chargement au fond et des systèmes de commande automatique.
• Environnement stable pour la croissance des cristaux: Assure des conditions de croissance cohérentes, réduit la densité des défauts et améliore les performances des produitsDes plaquettes de SiC.
   

  Spécification	Détails
  Les dimensions (L × P × H)	3200 × 1150 × 3600 mm
  Diamètre du creuset	Ø 400 mm
  Le vide ultime	5 × 10−4 Pa (après 1,5 h de pompage)
  Diamètre de l'arbre de rotation	Ø 200 mm
  Hauteur du four	1250 mm
  Méthode de chauffage	Chauffage par induction
  Température maximale	2400°C
  Puissance de chauffage	Pmax = 40 kW, fréquence = 8 ∼ 12 kHz
  Mesure de la température	Pyromètre infrarouge à double couleur
  Plage de température	900 ∼ 3000°C
  Précision de la température	± 1°C
  Plage de pression	1 ‰ 700 mbar
  Précision du contrôle de la pression	1 ‰ 10 mbar: ± 0,5% F.S; 10 à 100 mbar: ± 0,5% F.S. Pour les véhicules à moteur à commande autonome, la valeur de l'indicateur de freinage doit être supérieure à:
  Mode de chargement	Chargement au fond, fonctionnement sûr et facile
  Caractéristiques facultatives	Rotation de l'arbre, deux zones de température

  
   

Trois types de four de croissance de boules de SiC détails

Photo du four de croissance SiC Boule

SiC Boule de notre four

Photo du four de croissance de boules SiC dans l'usine des clients

Ci-dessous une installation de notreLe four de croissance de SiC BouleNous avons développé des systèmes de production de produits de base, qui sont utilisés dans les installations de nos clients, démontrant une application réelle et des performances fiables dans les environnements de production de masse.Le four de croissance de SiC Boulepour la production à grande échelle deDes plaquettes de SiCavec une consistance et une qualité exceptionnelles.

Services personnalisables pour les fours de croissance de boules au SiC

ÀZMSH, nous comprenons que les besoins de production de chaque client sont uniques.Des solutions entièrement personnalisablesPour notreLe four de croissance de SiC Boule, assurant une compatibilité optimale avec vos processus de production, vos exigences techniques et vos objectifs de croissance des cristaux.