SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
LE COMMERCE CÉLÈBRE CIE., LTD DE CHANGHAÏ
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Cet équipement est un four LPCVD à oxydation verticale de 8 pouces, entièrement automatisé et de haute efficacité, conçu pour la production de masse.soutient diverses oxydationsLe système dispose d'un transfert automatique de 21 cassettes avec intégration MES transparente, idéal pour la fabrication de semi-conducteurs.
Le four est doté d'une structure de tube vertical et d'un contrôle avancé du micro-environnement à faible teneur en oxygène.Le procédé LPCVD (Low-Pressure Chemical Vapor Deposition) chauffe les gaz précurseurs à basse pression pour déposer des films minces de haute qualité tels que le polysilicium, du nitrure de silicium ou des oxydes de silicium dopés.
Dans la fabrication de puces, la déposition par vapeur chimique à basse pression (LPCVD) est largement utilisée pour créer divers films minces à des fins différentes.Le LPCVD peut être utilisé pour déposer des films d'oxyde de silicium et de nitrure de siliciumIl est également utilisé pour produire des films dopés pour modifier la conductivité du silicium.qui sont essentiels pour former des structures d'interconnexion dans des circuits intégrés.
The working principle of LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) can be understood as a controlled chemical reaction process that takes place at low pressure and involves the reaction of gaseous precursors on the surface of a wafer.
Livraison de gaz:
Un ou plusieurs précurseurs gazeux (gaz chimiques) sont introduits dans la chambre de réaction.
L'action de la pression est effectuée sous une pression réduite, généralement inférieure au niveau atmosphérique.Le débit et la pression des gaz sont contrôlés avec précision par des régulateurs et des vannes spécialisésLe choix du gaz détermine les propriétés de la pellicule résultante. Par exemple, pour déposer des pellicules de silicium, le silane (SiH4) ou le dichlorosilane (SiCl2H2) peuvent être utilisés comme précurseurs.Différents gaz sont sélectionnés pour d'autres types de films., tels que l'oxyde de silicium, le nitrure de silicium ou les métaux.
Adsorption:
Ce processus implique l'adsorption de molécules de gaz précurseurs sur la surface du substrat (par exemple, une gaufre de silicium).L'adsorption fait référence à l'interaction où les molécules adhèrent temporairement à la surface solide à partir de la phase gazeuseIl peut s'agir d'une adsorption physique ou chimique.
Réaction:
À la température définie, les précurseurs adsorbés subissent des réactions chimiques sur la surface du substrat, formant un film mince.en fonction du type de gaz précurseurs et des conditions de procédé.
Déposition:
Les produits de réaction forment un film mince qui se dépose uniformément sur la surface du substrat.
Élimination des gaz résiduels:
Les précurseurs non réactifs et les sous-produits gazeux (par exemple, l'hydrogène généré lors de la décomposition du silane) sont retirés de la chambre de réaction.Ces sous-produits doivent être évacués pour éviter toute interférence avec le processus ou toute contamination du film..
L'équipement LPCVD est utilisé pour déposer des films minces uniformes à haute température et à basse pression, idéal pour le traitement par lots de gaufres.
Capable de déposer un large éventail de matériaux, y compris le polysilicium, le nitrure de silicium et le dioxyde de silicium.
Q1: Combien de plaquettes peuvent être traitées par lot?
R1: Le système prend en charge 150 plaquettes par lot, adaptées à la production en grande quantité.
Q2: Le système prend-il en charge plusieurs méthodes d'oxydation?
R2: Oui, il prend en charge l'oxydation à sec et à l'humidité (y compris DCE et HCL), adapté à diverses exigences de processus.
Q3: Le système peut-il s'interfacer avec le MES d'usine?
A3: Il prend en charge les protocoles de communication SECS II/HSMS/GEM pour une intégration transparente des MES et des opérations d'usine intelligentes.
Q4: Quels processus compatibles sont pris en charge?
A4: En plus de l'oxydation, il prend en charge le recuit N2/H2, le RTA, l'alliage et le LPCVD pour le polysilicium, le SiN, le TEOS, le SIPOS et plus encore.