2inch DSP Sapphire Wafer
Description
Le saphir-parfois synthétique s'est rapporté car le saphir verre-est utilisé généralement comme matériel de fenêtre, parce qu'il est fortement transparent aux longueurs d'onde de la lumière entre 150 nanomètre (UV) et 5500 le nanomètre (IR) (le spectre évident prolonge environ 380 nanomètre à 750 nanomètre, et extraordinairement éraflure-résistant.
Spécifications
| Crystal Orientation |
miscut du C-avion (0001) à M |
| Mis-orientation vers la marque de laser |
0.3° outre du ± 0.1° d'axe vers l'avion de M (90° à partir de l'appartement principal a supposé pour être coupé le long d'un un-avion) à partir des 102) directions de r ( |
| Orientation de mis vers l'appartement primaire |
0° ± 0.1° |
| Diamètre de gaufrette |
50.8± 0.05mm |
| Épaisseur |
430± 20mm |
| Major Flat |
± 1.0mm de 16.0mm |
| Major Flat Location |
± 0.3° d'Un-axe |
| Front Surface |
Epi polonais< 0="">
|
| Rugosité de postérieur |
<1micron |
| TTV |
£ 10mm |
| Chaîne |
£ 10mm |
| Arc |
£ 10mm |
| État de bord |
Défaut de bord pour ne pas dépasser SEMI M3-91, tableau 2 |
| Inscription de laser de substrat |
Le postérieur standard, mettent en parallèle à l'appartement |
| Emballage |
Environnement de pièce propre de la classe 100, dans des cassettes de 25, sous une atmosphère d'azote |
Le côté de double de 2inch DSP a poli des substrats de saphir peut être fabriqué des cristaux de saphir développés par Kyropoulos optiques de haute qualité de catégorie.
le substrat épitaxial de saphir de monocristal de grande pureté convient au processus épitaxial direct, au processus de PSS, au processus d'ALN et à d'autres méthodes épitaxiales. Il a les caractéristiques de la longueur d'onde uniforme, intense luminosité et petite norme nous pouvons accepter la personnalisation de produit pour les spécifications techniques, et produisons substrats de polissage simples/doubles de saphir avec différentes dimensions externes basées sur C (0001), a (11-20) et orientations en cristal de m (1100), avec l'entaille ou les orientations en cristal de bord droit.
Écoulement de processus
