substrat du saphir 6-inch avec la bonne transmittance légère
Description de produit
La composition chimique du cristal de saphir est alumine, avec le trellis hexagonal de structure cristalline. Le saphir est un matériel utilisé généralement de substrat pour la croissance épitaxiale de nitrure de gallium (GaN). Il a la dureté ultra-haute, les propriétés physiques et chimiques stables à températures élevées, excellente représentation optique.
Spécification technique
| Propriétés |
Unité |
substrat de 6 pouces |
| Diamètre |
millimètre |
150.1±0.1 |
| Longueur plate |
millimètre |
47.5±1 |
| Matériel |
Grande pureté et AL2O3 monocristallin |
| Crystal Orientation extérieur |
C-avion 0°±0.1° |
| Orientation plate primaire |
Un-avion 0°±0.5° |
| Bord cassé |
≤3mm |
| Fente |
Aucune fissuration |
| Défaut |
Aucun Wrappage, cristal jumeau ou Crystal Boundary |
| EPD |
² de <1000/cm |
Recherche de représentation
Le GaN semi-polaire et non polaire peut être développé sur le substrat de saphir avec certains avions spéciaux comme le M-avion <1-100>et le R-avion <1-102>. Le GaN semi-polaire et non polaire ont la bonne interprétation pour améliorer l'effet d'abattement de dispositif, le phénomène de décalage de longueur d'onde et l'efficacité de bande de longue longueur d'onde du dispositif de LED. Les études ont prouvé qu'utilisant la couche à hautes températures de nucléation d'AlN et la température plus élevée de croissance d'AlGaN, ou une couche de tampon avec l'AlGaN multicouche, ou employer le SI le dopage de la technique peut effectivement améliorer la qualité en cristal et la densité de dislocation des couches minces semi-polaires et non polaires d'AlGaN développées sur des substrats de saphir.
