substrat personnalisable de saphir de 4 pouces LED, grand choix d'application
Description de produit
Le saphir a la fiabilité élevée, la longévité de haute résistance et élevée, la résistance élevée d'éraflure, le grand choix de transmission et la basse déformation de front des ondes de transmission dans des conditions de la température de ciel et terre. Il peut être employé dans un grand choix de fenêtres à haute précision, un grand choix de lasers et industries. Application, très utilisée dans des panneaux de téléphone portable, des appareils photo numériques et d'autres domaines.
Spécification technique
| Propriétés | Unité | substrat de 4 pouces |
| Diamètre | millimètre | 100.1±0.1 |
| Longueur plate | millimètre | 31±1 |
| Matériel | Grande pureté et Al2O3 monocristallin |
| Crystal Orientation extérieur | C-avion 0°±0.1° |
| Orientation plate primaire | Un-avion 0°±0.5° |
| Bord cassé | ≤3mm |
| Fente | Aucune fissuration |
| Défaut | Aucun Wrappage, cristal jumeau ou Crystal Boundary |
| EPD | ² de <1000/cm |
Caractéristiques du produit
La dureté du saphir est très haut, et sa dureté est en second lieu seulement au diamant en matériaux naturels, mais elle doit être amincie et coupée pendant le processus de fabrication des dispositifs de LED. Son exactitude de coupure est calculée au niveau de μm. C'est pour le substrat de saphir coupant les conditions technologiques propose un essai très élevé.
En raison de la bande optique large de pénétration du saphir, il a la bonne transmittance légère de la lumière proche-ultra-violette à la lumière mi-infrarouge. Par conséquent, il est très utilisé en composants optiques, dispositifs infrarouges, matériaux à haute intensité de lentille de laser et matériaux de masque.
Il a les caractéristiques de la vitesse de son élevée, de la résistance à hautes températures, de la résistance à la corrosion, de la dureté élevée, de la transmittance légère élevée, et du point de fusion élevée (2045°C). C'est un matériel très difficile à traiter, ainsi il est employé souvent comme matériel pour les composants optoélectroniques. Actuellement, la qualité du blanc d'ultra-haut-éclat/de LED bleue dépend de la qualité matérielle de l'épitaxie de nitrure de gallium (GaN), et la qualité de l'épitaxie de nitrure de gallium est étroitement liée à la qualité de traitement extérieure du substrat de saphir a employé.
