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L'électronique de puissance de transistor MOSFET
Le bas de la haute performance SQ2319ADS-T1-BE3 sur la résistance
Caractéristiques :
• Transistor MOSFET de mode d'amélioration de N-canal
• Basse Sur-résistance le RDS (dessus)
• Basse tension de seuil de porte
• Commutation à grande vitesse
• RoHS conforme
Applications :
• Système de gestion de batterie
• Applications des véhicules à moteur
• Convertisseurs de puissance des véhicules à moteur
• Alimentations d'énergie de changement
• Applications de contrôle de moteur
Paramètres :
• Tension de Drain-source : -20V à -200V
• Vidangez actuel : -23A (Tc=25℃)
• Tension de Porte-source : -2.0V à -20V
• Sur-résistance de Drain-source : 18mΩ (VGS=-10V)
• Dissipation de puissance maximum : 2.3W (Tc=25℃)
• Température de fonctionnement : -55℃ à +150℃
• Température de stockage : -55℃ à +150℃
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