L'électronique de puissance de transistor MOSFET du N-canal SQ2309ES-T1_BE3 pour la commutation à haute efficacité

Liste de produit :

TRANSISTOR MOSFET SQ2309ES-T1_BE3

Caractéristiques :

• Basse sur-résistance
• Dissipation de puissance élevée
• Basse charge de porte
• Vitesse de changement rapide
• Avalanche évaluée
• RoHS conforme

Capacités absolues

• Vidangez la tension de source : 30V
• Tension de Porte-source : ±20V
• Courant continu de drain : 20A
• Dissipation de puissance : 170W
• Température de fonctionnement : -55°C à 175°C
• Température de stockage : -55°C à 175°C
• La température d'avance (soudure, 10sec) : 300°C

Caractéristiques électriques

• Tension claque de Drain-source : 30V

• Tension de seuil de porte : 2.5V

• Sur-résistance : 0.0022Ω

• Charge maximum de porte : 5.2nC

• Résistance maximum de Sur-état de Drain-source : 0.0022Ω

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