Accueil / produits / MOSFET Power Electronics / Charge de porte de basse Sur-résistance de rendement élevé de transistor de puissance du transistor MOSFET SI2347DS-T1-BE3 basse pour la représentation améliorée /

show pictures

Catégories de produits

Puce d'IC de semi-conducteur

Puce programmable d'IC

Puce d'IC de circuit intégré

Unité de microcontrôleur MCU

Puces d'IC de composants électroniques

Gestion IC de puissance

Puces de mémoire instantanée

Transducteurs de capteurs

Relais d'usage universel

L'électronique de puissance de transistor MOSFET

Module d'alimentation IGBT

Transistors de puissance de rf

L'amplificateur IC ébrèche

Isolant IC de puissance

Transistor de diode d'IC

Contacter

Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:DANDAN

Coordonnées du contact

Contacter

Charge de porte de basse Sur-résistance de rendement élevé de transistor de puissance du transistor MOSFET SI2347DS-T1-BE3 basse pour la représentation améliorée

Charge de porte de basse Sur-résistance de rendement élevé de transistor de puissance du transistor MOSFET SI2347DS-T1-BE3 basse pour la représentation améliorée

produits détaillés

Liste de produit : Transistor MOSFET du N-canal SQM120P10_10M1LGE3 Caractéristiques : • tension de la Drain-source 100V • courant continu du drain 10A ...

voir produits détaillés →

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2026 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4